§11.1 半导体发光二极管(LED) §11.2 半导体激光器概述 §11.3 半导体激光器原理 §11.4 半导体激光器特性 §11.5 同质结和异质结激光器 §11.6 分布反馈半导体激光器 §11.7 量子阱半导体激光器

半导体材料是一种特殊的固体材料。固体能带理论的发展对半导体的研究起到了重大的指导作用, 而半导体材料与技术的应用发展又对固体物理研究的深度与广度产生了相对的推进作用。 由于半导体中电子的运动可以是多样化的,其材料的性质与杂质、光照、温度和压力等因素有着密 切的关系。通过半导体物理的研究,可以进一步不断地揭示材料中电子各种形式的运动,阐明它们 运动的规律

1.1 半导体中的电子状态 1.2 半导体的电学性质 1.3 半导体的光学性质 1.4 半导体磁学性质

1.1半导体基础知识 1.1.1本征半导体 定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 一、半导体

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

1. 半导体激光器工作原理 3. 量子阱半导体激光器 2. 异质结半导体激光器 4. 半导体激光器的谐振腔结构 5. 半导体激光器的特性

4.1 光束的调制原理概述 4.1.1 振幅调制 4.1.2频率调制和相位调制 4.1.3 强度调制 4.1.4 模拟调制与数字调制 4.1.5脉冲编码调制 4.2 直接调制 4.2.1半导体激光器（LD）直接调制的原理 4.2.2半导体发光二极管（LED）的调制特性 4.2.3半导体光源的模拟调制 4.2.4半导体光源的脉冲编码数字调制 4.3半导体激光器的直接调制特性 4.3.1 调制特性 4.3.2 温度特性与自动温度控制 4.3.3 纵模性质 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 4.4 LiNbO3晶体电光强度调制特性 4.4.1 LiNBO3晶体横向强度调制原理 4.4.2直流偏压工作点对输出特性的影响 4.4.3 1/4波片对输出特性的影响 4.4.4 调制特性的实验研究 4.5 法拉第效应 4.5.1 实验研究 4.5.2 法拉第效应的应用 4.6 声光技术的发展动态及其应用 4.6.1 声光技术的发展动态 4.6.2 声光技术在激光技术领域中的应用 4.6.3 声光器件在军事中的应用

一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构