§1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT §1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.6 放大器噪声参数 §1.7 微波晶体管放大器设计 §1.8 微波功率放大器

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.8 放大电路的频率特性 一、频率响应和频率失真 二、放大电路的频率响应和瞬态响应 三、晶体管的高频特性 四、单管共射放大电路的频率响应 五、放大电路的增益带宽积 六、多级放大电路的频率响应

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算

§1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.5.1 有源二口网络的S参数 §1.5.2 微波晶体管放大器增益 §1.5.3 微波放大器稳定性 §1.6 放大器噪声参数 §1.6.1 有源网络噪声参数一般表示式 §1.6.2 等噪声系数圆和等增益圆 § 1.7 微波晶体管放大器 §1.7.1 放大器的增益 §1.7.2 多级放大器噪声

MOS晶体管模型 □MOS器件结构 阈值电压 MOS晶体管大信号特性 MOS器件寄生电容 □MOS晶体管小信号模型 CMOS模拟电路基本模块 □ MOS开关 □有源电阻 □电流源和电流镜 □电压基准和电流基准 单级CMOS放大器

双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

本文分析了PWM放大器晶体管各阶段的工作状态,给出最佳基极驱动电流波形并提出了根据晶体管负载状况自动调节基极驱动电流的动态负载自适应技寿,采用此项技寿设计的驱动电路已经几年运行考核,解决了晶体管控制系统的关键难题

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型