第二章晶休管及基李效大电陆 §2.1晶体三极管 §2.2放大的概念与放大电路的性能指标 §2.3基本共射放大电路的工作原理 §2.4放大电路的分析方法 §2.5静态工作点的稳定 §2.6晶体管放大电路的三种接法 §2.7多级放大电路 §2.8放大电路的频率特性
第二章 晶体管及基本放大电路 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.1 晶体三极管 §2.8 放大电路的频率特性
§21晶体三极管 晶体管的结构和符号 二、 晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
一、晶体管的猪构和符号 小功率管 中功率管 大功率管 晶体管分类： 晶体管按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率 分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功 率管、中功率管和大功率管；按结构分为NPN管和PNP管
一 、晶体管的结构和符号 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 晶体管分类： 晶体管按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率 分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功 率管、中功率管和大功率管；按结构分为NPN管和PNP管
一、晶体管的猪构和符号 c集电极 面积大 ℃集电极 N P 集电区 集电结 集电区 集电结 b。 基区 b 基N b 基极 基极 P 发射结 N 符号 发射结 符号 发射区 e e 发射区 PNP T NPN e发射极 e发射极 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 晶体管有三个极、三个区、两个PN结
一 、晶体管的结构和符号 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 P N P 集电区 发射区 基区 c 集电极 b 基极 e 发射极 集电结 发射结 （c） PNP管结构示意图 符号 符号 多子浓度很 低，且很薄 多子浓度高 面积大 NPN PNP
国产 常用中小功率三极管参数表 型号 材料与极性PcmW)cmmA)BVcbo(V) f(z) 第一部分： 第二部分：三极 3DG6C SI-NPN 0.1 第 20 45 >100 主称 管的材料和特性 3DG7C SI-NPN 0.5 100 60 >100 数 300 字。 含义 字母 含义e 字母：3DG12C SI-NPN 0.7 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 锗材料、P A NP型 Xo 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 锗材料N A 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 B. PN型 D. 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 硅材料、 To C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 PNP型 3 K 三极管 C9012 SI-PNP 0.625 -500 40 硅材料、N Ve C9013 SI-NPN 0.625 500 40 PN型 Be C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 Je E. 化合物材 U C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 料e C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G
硅材料、 PNP型
二、晶体管的放大原理 uo 放大的条件 E>Um（发射结正偏 lcB≥0，即4cE≥4E（集电结反偏) ①发射区掺杂浓度最高 Vc>VB>VE 内部 条件 ②基区很薄 ③集电区面积大 e 放大 NPN 条件 ①发射结正偏 外部 条件 ②集电结反偏 VC<VB<VE e PNP
二、晶体管的放大原理 ，即 （集电结反偏） （发射结正偏） 放大的条件 CB CE BE BE on u 0 u u u U PNP 放大 条件 内部 条件 ①发射区掺杂浓度最高 ②基区很薄 ③集电区面积大 外部 条件 ①发射结正偏 ②集电结反偏 NPN – + ++ VC >VB> VE + – –– VC<VB< VE
少数载流 因集电区面积大，在外电场作用下大 子的运动 CBO 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 D 数扩散到基区的电子与空穴复合 Vcc 因发射区多子浓度高使大量 BB EN 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散 扩散运动形成发射极电流I,复合运动形成基极电 流I,漂移运动形成集电极电流Ic
b e c N P N 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电 流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流 子的运动 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴 的扩散
三极管内部载流子运动过程 鸭提问：若发 射结正偏电压 很小或反偏则 结果如何？ CBO R bc结社 些提问： 若集电结 反偏电压 BN 阳结加正南锦置书乐 be结 很小或正 Ucc 5结加反向偏置电压 偏则结果 如何？ U BB 图2-35三极管内部载流子运动示意图
三极管内部载流子运动过程 c b e 图2-35 三极管内部载流子运动示意图 CBO I EP I N P N bc结 be结 CN I BN I EN I Rb B I UBB be 结 加 正 向 偏 置 电 压 Rc UCC bc 结 加 反 向 偏 置 电 压 C I E I 提问： 若集电结 反偏电压 很小或正 偏则结果 如何？ 提问：若发 射结正偏电压 很小或反偏则 结果如何？
◆电流分配： IE=IB十Ic I一扩散运动形成的电流 IB一复合运动形成的电流 uo Ic一漂移运动形成的电流 △2u BB 直流电流 交流电流放大系数 放大系数 B B= △ib ICEO =(1+B)ICBO 穿透电流 集电结反向电流
¨ 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 CEO CBO B C B C I (1 )I i i I I 穿透电流 集电结反向电流 直流电流 放大系数 交流电流放大系数
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1.输入特性 in =f(upe)ver 0.5V UCE=0 ≥1V uBE 对于小功率晶体管，Uc大于1V的一条输入特性曲线 可以取代Uc大于1V的所有输入特性曲线
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 CE ( ) B uBE U i f 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 1. 输入特性