8.1半导体三极管 8.2放大电路的组成和基本工作原理 8.3放大电路的基本分析方法(一)工程估算法 8.4放大电路的基本分析方法(二)图解法 8.5工作点稳定的放大电路 8.6射极输出器 8.7多级放大电路 8.8功率放大器

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

§2.1 PN结的基本介绍 §2.2 PN结的耗尽近似理论 §2.3 PN结的直流IV特性 §2.4 PN结的CV特性 §2.5 PN结的瞬态特性 §2.6 PN结的击穿特性 §2.7 异质结与高低结 §2.8 几种典型二极管的应用

一、半导体器件工作原理 二、共射放大电路组成、工作原理、性能特点及分析方法 三、射极输出器基本特点，差动放大电路及功率放大电路工作原理 四、多级放大电路概念 五、场效应管放大电路组成及分析方法

掌握电力半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数的含义； 掌握几种单相和三相基本可控整流电路的工作原理及特点； 熟悉逆变器的基本工作原理、用途和控制； 了解晶闸管工作时对触发电路的要求和触发电路的基本工作原理

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