《材料物理性能》课程教学课件（PPT讲稿）第六章 无机材料的电导 6.5 无机材料的电导 6.6 半导体陶瓷的物理效应 6.7 超导体

《材料物理性能》课程教学课件（PPT讲稿）材料的电学性质（导体、绝缘体和半导体）

上海交通大学：《材料综合实验》课程教学资源（实验指导）物理性能_实验三（I）探针测量半导体或金属薄膜电阻率

存储器概述 存储器是数字系统和电子计算机的重要组成部分; 功能:存放数据、指令等信息。 按材料分类 1、磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带 本课主要讲述 2、光介质类——CD、DVD 半导体介质类 3、半导体介质类——ROM、RAM等 器件 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,硬盘

一、传感器概述 传感器的概念:指能感受规定的物理量,并按照一定规律转换成可用输出信 号的器件或装置。 简单的说,传感器即使把非电量转换成电量的装置。 汽车传感器的工作条件极为恶劣,因此,传感器能否精确可靠地工作至 关重要。在该领域中,理论研究及材料应用发展迅速,半导体和金属膜技术 研究及材料应用技术发展迅速,半导体和金属膜技术、陶瓷烧结技术等得到 迅猛发展

5.1 典型半导体材料晶体结构类型 5.2 半导体材料晶体结构与性能 5.3 电子材料中其他几种典型晶体结构 5.4 固溶体晶体结构 5.5 液晶的结构及特征 5.6 纳米晶体的结构及特征

半导体太阳能电池：通过光电转换装置把太阳辐射能转换成电能是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的，因此又称太阳能光伏技术。太阳能电池：将太阳能转化为电能的装置

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)