一．简答题。 1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料

区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

（1）无机物半导体：元素半导体（Ge,Si）；化合物半导体：二、六族，三、五族。 （2）有机物半导体

一、PN结及半导体二极管 1、本征半导体和杂质半导体 2、PN结及其单向导电性 3、二极管的伏安特性及主要参数 4、二极管电路分析法

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

山西师范大学：《半导体材料》课程教学大纲（材料化学专业）

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的，也称为“同质结”

一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层

为什么采用半导体材料制作电子器件? 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时 会产生什么现象?