一．简答题。 1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料

区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

（1）无机物半导体：元素半导体（Ge,Si）；化合物半导体：二、六族，三、五族。 （2）有机物半导体

一、PN结及半导体二极管 1、本征半导体和杂质半导体 2、PN结及其单向导电性 3、二极管的伏安特性及主要参数 4、二极管电路分析法

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

山西师范大学：《半导体材料》课程教学大纲（材料化学专业）

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的，也称为“同质结”

文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅I-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属一氧化物一半导体(CMOS)工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述

一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层