一、本课目的:全面了解病因、发病机理、临床表现、辅助检查及治疗原则。 二、重点:病理生理、临床表现、治疗原则。 三、难点:发病机理、病理生理

1、了解气压等因素对人体造成的损害和致死机理,出事现场及尸体的形态学特点。 2、三种气压、电离辐射、激光、微波及高频的物理性质,三种激光、微波及高频对人体的损害及其后果; 3、理解气压等物理因素对机体损害的机理或生物学效应;

1、重点: （1)颅脑损伤; （2)颈部损伤。 2、难点: （1)颅脑损伤的类型及形成机理; （2)颈部损伤的类型及形成机理

一、NOx的危害及目前排放情况 二、氮氧化物的产生机理 三、煤的燃烧方式对排放的影响和降低放的要措施 四、低NOx燃烧技术 五、烟气处理降低Nx排放技术

一、化学反应速度影响因素推测反应机理 二、反应机理与化学反应方程式两码事 三、按人的意愿控制改变化学反应速度具有重要工业价值

1.微细加工出现的历史背景 2.微细加工的概念及特点 3.微细加工机理 4.微细加工方法 1.电火花加工的机理、特点及分类 2.电火花加工中的基本工艺规律 3.电火花加工设备和工作液 4.电火花穿孔成形加工

一、液相色谱的分离机理 1 Ⅱ正相 2 Ⅱ反相 3 Ⅱ体积排除 4 Ⅱ离子交换 5 Ⅱ其他

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用

7.1卤代烷( Haloalkanes) 7.1.1分类与命名 71.2卤代烷的制法 7.1.3卤代烷的物理性质 7.1.4卤代烷的化学性质 7.1.5饱和碳原子上亲核取代反应机理 7.1.6消除反应机理 7.2卤代烯烃( aloalkenes) 7.3氟代烃( Fluorohydrocarbon)