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第1章半导体器件基础 1.1半导体基础知识 1.2半导体二极管 13半导体三极管 1.4场效应管

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一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理二、主要参数及使用时的注意事项三、场效管基本放大电路

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4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vms=4V时的转移特性

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4 . 1 静态场方程在时变条件下的推广 4 . 2 辅助动态位 4 . 3 时变电磁场的边界条件 4 . 4 时变电磁场的能量、能流和能量守恒定律 4 . 5 时谐电磁场 4 . 6 动态场的应用 4 . 7 麦克斯韦和麦克斯韦理论建立的意义

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 球面镜像法  柱面镜像法  介质平面镜像法  其它方法简介

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• 边值问题的分类 • 唯一性定理 • 镜象原理

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西安电子科技大学：《电磁场与电磁波基础》课程教学课件（讲义，2012）10 静态场的解（I）

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西安电子科技大学：《电磁场与电磁波基础》课程教学课件（讲义，2012）05 静电场中的导体系统

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西安电子科技大学：《电磁场与电磁波基础》课程教学课件（讲义，2012）04 静电场（II）

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一、何谓“力”与“场” 在第一编形态原理及前一章有关空间及形态心理量中曾谈到过“力和“场”的问题。所谓“力”,是借助物理学中力的概念,表述限定空间中因形态量、方向性、聚散、虚实、黑白或色彩等强度知觉所产生的视觉“张力”或动态所形成“扩张”或“移动” 的“势