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异步传送模式（ATM—Asynchronous Transfer Mode）是宽带综合业务数字网（B-ISDN—Broadband Integrated Service Digital Network）用于传输、复用和交换的技术，是B-ISDN网络的核心技术。本章中我们将重点介绍ATM的基本原理和ATM交换技术，并在此基础上简要介绍B-ISDN网络的网络结构、用户-网络接口的参考配置、业务特性等主要相关技术。 7.1 ATM与B-ISDN的产生和发展 7.2 ATM基本原理 7.3 ATM交换技术 7.4 宽带综合业务数字网（B-ISDN）

基于输电线路抗覆冰的应用背景,通过对Fe100-x-yCrxBy(x=11~20,y=9~20)的成分调节和快淬工艺参数控制,制备了同时具有低居里温度和高饱和磁极化强度的非晶带材.测试研究表明Fe65Cr15B20和Fe64Cr16B20的居里温度分别为28.6和11.6℃,Fe65Cr15B20和Fe64Cr16B20在0℃的饱和磁极化强度分别为0.69和0.62 T.设计组装了一种近似绝热磁致热功率的测量装置,用该装置对Fe65Cr15B20和Fe64Cr16B20两种非晶合金带的磁热功率进行了近似测量和分析

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采用Sn-2.5Ag-2.0Ni焊料钎焊了具有Ni(P)/Ni(B)和Ni(P)/Ni两种双镀层结构的SiCp/Al复合材料.结果表明,SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)和SnAgNi/Ni/Ni(P)两种接头均生成唯一的金属间化合物Ni3Sn4.SnAgNi焊料与Ni(B)镀层之间的快速反应速度使Ni3Sn4金属间化合物具有高的生长速度.时效初期的SnAgNi/Ni/Ni(P)接头的剪切强度高于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头,但在250h时效后其剪切强度剧烈下降,低于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头.金属间化合物的生长及裂纹的形成是SnAgNi/Ni/Ni(P)接头失效的主要原因,而SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头失效的主要原因是Ni(P)镀层中Ni原子的定向扩散使SiCp/Al复合材料与Ni(P)处产生孔洞

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1学科基础课平台必修课 《高等数学 C》 《无机化学 B》 《无机化学实验 B》 《药学类专业导论》 《医用物理学 B》 《有机化学 A》 《有机化学实验 A》 《生物化学 D》 《分析化学 D》 《分析化学 D》实践 《生理学 C》 《物理化学 C》 《仪器分析》 《仪器分析实验》 II 《药用植物学与生药学》 《药学野外实习》实习（见习） 2学科基础课平台选修课 《人体解剖学 A》 《医学统计学》 《实验动物学 A》 《细胞生物学 B》 《中医药学概论》 《医学导论》 《医学免疫学 E》 《病理生理学 B》 《生物技术制药 A》 《医学微生物学 A》 《药物毒理学 A》 《诊断学 B》 III 3专业课平台必修课 《药理学 A》 《药理学实验》 《药物化学》 《药物化学实验》 《天然药物化学》 《药事管理与法规》 《药物分析 A》 《药物分析 A 实验》 《药剂学 A》 《药剂学 A 实验》 《生物药剂学与药物动力学》 《药学生产实习 A》 《药学专业毕业设计（论文）》 4专业课平台选修课 《波谱解析》 IV 《临床药物治疗学》 《临床药学》 《药学综合知识与技能》 《药用高分子材料学》