5.1 RDD编程基础 5.1.1 RDD创建 5.1.2 RDD操作 5.1.3 持久化 5.1.4 分区 5.1.5 一个综合实例 5.2 键值对RDD 5.2.1 键值对RDD的创建 5.2.2 常用的键值对RDD转换操作 5.2.3 一个综合实例 5.3 数据读写 5.3.1 文件数据读写 5.3.2 读写HBase数据 5.4 综合案例 5.4.1 案例1：求TOP值 5.4.2 案例2：求最大最小值 5.4.3 案例3：文件排序 5.4.4 案例4：二次排序 5.4.5 案例5：连接操作

• 6.1 云数据库概述 • 6.1.1 云计算是云数据库兴起的基础 • 6.1.2 云数据库概念 • 6.1.3 云数据库的特性 • 6.1.4 云数据库是个性化数据存储需求的理想选择 • 6.1.5 云数据库与其他数据库的关系 • 6.2 云数据库产品 • 6.2.1 云数据库厂商概述 • 6.2.2 Amazon的云数据库产品 • 6.2.3 Google的云数据库产品 • 6.2.4 Microsoft的云数据库产品 • 6.2.5 其他云数据库产品 • 6.3 云数据库系统架构 • 6.3.1 UMP系统概述 • 6.3.2 UMP系统架构 • 6.3.3 UMP系统功能 • 6.4 Amazon AWS和云数据库 6.4.1 Amazon和云计算的渊源 6.4.2 Amazon AWS 6.4.3 Amazon AWS平台上的云数据库 • 6.5 微软云数据库SQL Azure • 6.6 云数据库实践 6.6.1 阿里云RDS简介 6.6.2 RDS中的概念 6.6.3 购买和使用RDS数据库 6.6.4 将本地数据库迁移到云端RDS数据库

调查了使用不同氟含量保护渣时连铸二冷水中F-质量浓度的变化，并在实验室研究了保护渣组分及保护渣在水中的浸泡时间对水浸液中F-质量浓度的影响．研究结果表明，A厂使用低氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为1．2～24．3mg·L-1水样呈中性；B厂使用高氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为57．9mg·L-1，水样呈酸性．保护渣中氟含量越高，保护渣在水中的浸泡时间越长，渣中氟向水中的转移量就越多．控制保护渣中氟不超过2％，有利于减弱保护渣氟的浸出对二冷水的危害．在研究的组成范围内，碱度CaO／SiO2和Li2O对渣中氟的浸出无明显影响．增加保护渣中B2O3含量，有利于降低保护渣中氟在二冷水中的浸出．

4.1 RDD编程基础 4.1.1 RDD创建 4.1.2 RDD操作 4.1.3 持久化 4.1.4 分区 4.1.5 一个综合实例 4.2 键值对RDD 4.2.1 键值对RDD的创建 4.2.2 常用的键值对RDD转换操作 4.2.3 一个综合实例 4.3 数据读写 4.3.1 文件数据读写 4.3.2 读写HBase数据 4.4 综合案例 4.4.1 案例1：求TOP值 4.4.2 案例2：文件排序 4.4.3 案例3：二次排序

2-1烷烃和环烷烃的通式和构造异构;(同系列与同分异构现象)。 2-2烷烃和环烷烃的命名 习惯命名、系统命名、衍生物命名、俗名。 2-3烷烃和环烷烃的结构 CH4的正四面体结构与sp3杂化轨道、环烷烃的结构与稳定性。 2-4烷烃和环烷烃的构象;

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

2.1 线性表(linear list) 2.1.1 线性表的抽象数据类型 2.1.2 线性表的存储结构 2.1.3 线性表运算分类 2.2 顺序表—向量(sequential list—vector ) 2.2.1 向量的类定义(type definition) 2.2.2 向量的运算 2.3 链表(linked list) 2.3.1单 链 表(singly linked list) 2.3.2 双 链 表(double linked list) 2.3.3 循 环 链 表(circularly linked list) 2.4 线性表实现方法的比较 2.5 栈 2.5.1 顺序栈 2.5.2 链式栈 2.5.3 顺序栈与链式栈的比较 2.5.4 栈的应用——后缀表达式求值 2.5.4 递归的实现 2.6 队列 2.6.1 顺序队列 2.6.2 链式队列 2.2.3 顺序队列与链式队列的比较

采用辊轧工艺,制成了素坯密度较高的氧化锆增韧氧化铝复合陶瓷,并对其性能和结构分别进行了研究。利用多种粒径的粉体混合、多种增韧方式来设计复相陶瓷的显微结构,得到了最佳配比和最佳烧结工艺条件下的ZrO2/nmAl2O3/μmAl2O3复相陶瓷。此陶瓷在1550℃下烧结,得到优良的抗弯强度和断裂韧性

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展 北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章 晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）