§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

§2.1 PN结的基本介绍 §2.2 PN结的耗尽近似理论 §2.3 PN结的直流IV特性 §2.4 PN结的CV特性 §2.5 PN结的瞬态特性 §2.6 PN结的击穿特性 §2.7 异质结与高低结 §2.8 几种典型二极管的应用

一、半导体器件工作原理 二、共射放大电路组成、工作原理、性能特点及分析方法 三、射极输出器基本特点，差动放大电路及功率放大电路工作原理 四、多级放大电路概念 五、场效应管放大电路组成及分析方法

掌握电力半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数的含义； 掌握几种单相和三相基本可控整流电路的工作原理及特点； 熟悉逆变器的基本工作原理、用途和控制； 了解晶闸管工作时对触发电路的要求和触发电路的基本工作原理

5.1存储系统概述 5.2内部存储器的作用及其分类 5.3半导体存储器的组成及工作原理 5.4内存的工作模式及主流技术 5.5内存的管理

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第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法