采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

◼ 卤代烷的类型及命名 ◼ 卤代烷的亲核取代，取代产物的类型 ◼ 亲核取代反应的两种机理——SN1和SN2机理 ◼ 碳正离子，碳正离子的稳定性，碳正离子的重排

一、SrM的配方,n值可取6(理论),生产常取5.9,(5.7~5.9),高摩尔,<5.5(低摩尔) 二、添加剂的影响,主要新发展,加La2O3,Al2O3,C2O3.日本的FB9系列,是用La2O3,取代部分SrCO3,用Co3O4部分取代Fe2O3在一次料时加入;中国二次料时加入,也可引起相应的一些作用

1.了解《企业会计准则第2号——长期股权投资》及其应用指南，熟悉长期股权投资确认和计量的原则和方法。 2.掌握成本法下长期股权投资的取得、取得现金股利或利润、处置和期末计量的会计处理。 3.掌握权益法下长期股权投资的取得、被投资单位实现净损益、取得现金股利或利润、被投资单位除净损益以外所有者权益的其他变动、处置和期末计量的会计处理。 第一节 长期股权投资概述 第二节 长期股权投资的初始计量 第三节 长期股权投资的后续计量 第四节 长期股权投资的核算方法转换及处置

本文选用了超深冲IF钢,经1200℃开轧、930℃终轧、700℃卷取和80%冷轧后,在800℃不同时间退火并观察其再结晶过程。实验结果表明.微碳、钛、铌IF钢在退火初期,{111}平行于板面亚晶首先发生回复、多边化,而后形成再结晶晶核,同时这种取向的晶粒优先长大从而形成{111}纤维的织构,其它取向的品粒较迟发生回复或被生长着的{111}平行于板面取向的晶粒吞并

频率取样是指对序列的傅里叶变换或系统的频率特性进行取样 。本节讨论在什么条件下能够用得到的频谱取样值无失真地恢复原信号或系统

简单随机抽样就是从装有 N 张票子的盒子里随机无放回地摸取 n 张票子，它可以有两种摸取方法： （1）从盒子中一次摸取 n 张票。这样摸取共有 种可能性，每种可能的概率为 。抽到的样本称为简单随机样本

可用于进行芳香亲电取代反应的亲电体 种类繁多，表6-2依据亲电活性将其分为三类。 第一类亲电体非常活泼，可与几乎所有的芳 香化合物甚至被强吸电子取代基钝化的那些 衍生物进行反应。第二类亲电体易与苯及被 给电子取代基活化的芳香化合物进行反应， 但对那些被吸电子取代基钝化的衍生物，一 般不活泼，难于反应；第三类亲电体只能与 那些比苯活泼得多的，特别是具有强给电子 取代基的芳香化合物反应