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长沙理工大学:《高等传热学》课程教学资源(实验案例)高等传热学案例库
文档格式:PDF 文档大小:6.15MB 文档页数:26
案例一 二维稳态导热温度场计算 案例二 管道保温系统设计 案例三 管壳式换热器设计 案例四 超声波除垢及强化传热技术 案例五 太阳能诱导通风流场及温度场分布 案例六 方管保温特性数值解析
带有状态时滞的多采样率线性离散时间系统的最优预见控制器设计
文档格式:PDF 文档大小:2.28MB 文档页数:9
研究了一类具有状态时滞的多采样率离散时间控制系统,对这类系统给出了一种最优预见控制器的设计方法.首先利用离散时间系统提升技术,把所研究的系统转化成单一采样的扩大系统;然后利用构造扩大误差系统的方法引入积分器;再对扩大误差系统应用通常的线性二次型最优预见伺服系统设计方法设计控制器,从而得到原系统的最优预见控制器.同时还对扩大误差系统的能控性和能观测性进行了讨论,并通过数值仿真说明了控制器的有效性
多热源合成SiC传热规律
文档格式:PDF 文档大小:556.58KB 文档页数:4
对多热源合成SiC冶炼炉的温度场进行了数值模拟,研究了冶炼炉内的温度分布、热流强度以及温度梯度的动态变化规律,揭示了多热源合成SiC的传热传质规律.研究表明, 由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,导致多热源合成SiC技术比Acheson单热源炉的单炉产量提高48.1%,特、一级品率提高30%,节能10%以上,并且杜绝了单热源生产中频繁喷炉事故,使生产更安全
基于灰色模糊理论的巷道锚网支护设计与优化
文档格式:PDF 文档大小:616.38KB 文档页数:5
为解决采空区下薄顶煤巷道支护设计中所面临的各种力学问题,通过七因素三水平的正交实验方案,进行了27次数值模拟实验.按照三个评价标准,分别分析了各关键因素对巷道稳定性的影响,并筛选出相应的最优方案.利用灰色模糊理论对巷道支护方案进行了综合评价及整体优化设计.研究中考虑了支护费用及施工时间等成本性指标,分析了巷道支护后围岩的应力变化、位移特征和破坏机理,制定了可行的施工方案.所采用的支护技术在窑街煤电公司天祝矿正式投入使用后,取得良好的经济效益
综掘工作面粉尘运移的数值模拟及压风分流降尘方式研究
文档格式:PDF 文档大小:693.78KB 文档页数:5
针对综掘工作面产生尘量高,煤尘浓度大,降尘效率低的现状,结合流体力学、气固两相流理论和射流理论等相关理论,采用FLUENT模拟技术,研究\长压短抽\式除尘通风时掘进巷道中粉尘运移和分布规律,对比分析了压入风量、抽吸比及抽、压风筒口位置等通风参数对粉尘浓度及分布范围的影响,提出了压风分流通风方式,并对其降尘效果进行了模拟分析
多晶体晶粒尺度三维组织建模及可视化
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:4
采用基于Monte Carlo Potts模型的仿真技术对单相多晶体各向同性晶粒组织进行了三维建模.利用OpeGL图形接口,在所建多晶体组织模型数据结构的基础上进而实现了三维可视化和任意角度观测.结果表明,所建几何图像模型可以很好地仿真预定细观组织结构参数的三维多晶体组织,不但满足模型化研究所要求的统计意义上的准确性,而且非常符合实际材料显微组织的多变性特征,可望用作细观尺度多晶材料加工过程数值模拟和细观力学计算的基本组织模型
深凹露天矿降低爆破尘毒的现场试验
文档格式:PDF 文档大小:379.45KB 文档页数:3
采用现场试验和数值计算相结合的方法,研究表面活性剂溶液填塞炮孔降低露天矿爆破尘毒的效果.结果表明,药液爆破与常规爆破相比,爆破尘毒产生量减少50%以上.该技术对减少深凹露无矿内的环境污染具有重要意义
一种模糊控制小生境遗传算法的应用研究
文档格式:PDF 文档大小:635.77KB 文档页数:4
基于遗传算法的基本原理,提出一种改进的遗传算法,将模糊控制思想与小生境技术引入到其中,从而保护种群的多样性,同时使每代最优解得以保存.遗传算法加入小生境技术后虽可保持种群群体的多样性,但是不可避免的会产生部分个体的早熟以及陷入局部最优,于是加入模糊控制思想,对种群的交叉概率Pc和变异概率Pm进行模糊控制,以此为基础,形成了一种新型的模糊控制小生境遗传算法.最后通过对三个典型函数的数值分析证明了该方法的有效性和可行性.
承压水体上对拉面开采底板岩层破坏规律
文档格式:PDF 文档大小:1.53MB 文档页数:5
以淮北杨庄矿承压水体上对拉工作面开采为背景,通过现场实测、相似模拟实验和数值分析,揭示了承压水体上对拉工作面开采底板岩层应力分布和底板破坏规律,重新认识了对拉面不同开采参数对底板岩层力学行为的影响.提出了承压水体上对拉面安全开采的合理技术参数和预防底板突水的工程对策
《电子技术基础》课程教学资源(模拟电子技术)PPT课件讲稿:功率管的散热问题
文档格式:PPT 文档大小:316KB 文档页数:6
功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)
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