建立了溶质原子在晶界的平衡偏聚、非平衡偏聚、晶界偏聚溶质向沉淀析出转化以及冷却速度等因素的晶界偏聚物理模型和数学模型.模型考虑了晶界及晶界附近扩展畸变区对溶质的吸附作用和吸附能力.对含硼0.0010%的Fe-40%Ni-B合金体系从1150℃连续冷却到640℃的过程中硼的晶界偏聚状态进行了模拟计算.计算表明,晶界区域硼富集因子在降温初期增加较快,随后增幅变缓,模拟数据显示过程中有晶界区域硼原子向晶内的反向扩散;当晶界上偏聚的硼转化为析出物时,晶界区域富集因子的增加再次变快.模拟计算结果与已发表的实验结果吻合较好

第一章 化学基础知识 第二章 化学热力学基础 第三章 化学反应速率 第四章 化学平衡 第五章 原子结构与元素周期律 第六章 分子结构和共价键理论 第七章 晶体结构 第八章 酸碱解离平衡 第九章 沉淀溶解平衡 第十章 氧化还原反应 第十一章 配位化学基础 第十二章 碱金属和碱土金属 第十三章 硼族元素 第十四章 碳族元素 第十五章 氮族元素 第十六章 氧族元素 第十七章 卤素 第十八章 氢和稀有气体 第十九章 铜副族元素和锌副族元素 第二十章 钛副族元素和钒副族元素 第二十一章 铬副族元素和锰副族元素 第二十二章 铁系元素和铂系元素 第二十三章 镧系元素和锕系元素（自学） 第二十四章 无机化学新兴领域简介（自学）

采用同时平衡和质量守恒原理对全液相常温常压法制备CuInSe2(CIS)粉体过程中Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的热力学平衡进行分析,并绘制一系列的浓度对数lgc-pH值曲线.依据平衡图,发现溶液中[NH3]T的变化主要影响溶液中[Cu+]T在体系中的浓度变化,[L2-]T的变化主要影响的是体系中[In3+]T的浓度变化,而[Cl-]T的变化对[Cu+]T和[In3+]T的浓度变化均有影响,并可发现在pH7.0~8.5时沉淀率最高.依据Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的同时平衡和质量守恒原理,采用全液相常温常压法,在pH7.0~8.5条件下制备出粒径在20~50nm且基本符合标准化学计量比的CIS纳米粉体