研究粉末扩散法使金刚石表面金属化的工艺。采用铜(或钴)、碳化物形成元素铬(或钛)和金刚石混合粉在真空下进行扩散热处理,金刚石表面形成由碳化物层和合金层组成的涂层。涂层可以通过固相扩散反应和液相存在下的扩散反应两种模式形成。铜基和钴基胎体材料和涂层金刚石间具有良好的结合强度。同无涂层金刚石比较,含涂层金刚石胎体材料的抗弯强度提高9%~20%

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

采用雾化喷射沉积成形技术制备了含10%(体积分数)Al2O3颗粒的18Ni(250)马氏体时效钢金属基复合材料.沉积坯件具有高致密度、增强颗粒均匀分布、无界面反应等组织特征.同基体合金相比,复合材料表现出加速时效行为.经热处理后复合材料的拉伸强度接近基体材料,耐磨性明显提高.采用显微力学探针技术研究了复合材料的时效行为,发现在Al2O3颗粒附近存在陡峭的弹性模量和硬度分布,是热错配应力造成的位错密度分布引起的析出相分布变化的结果

3.1 碳钢 1、碳钢的成分和分类 2、碳钢的牌号及用途 1、碳素结构钢 2、优质碳素结构钢 3.2 合金钢 3、碳素工具钢 1、合金钢的分类和编号 2、合金钢结构钢 1、低合金高强度结构钢 2、合金渗碳钢 3、合金调质钢 4、非调质机械结构钢 5、合金弹簧钢 6、滚动轴承钢 金属材料的分类、牌号、成分、组织、性能、用途、热处理

实验一、铁碳合金平衡组织分析 实验二、钢的热处理 实验三、铸造内应力的形成及测量分析 实验四、合金的流动性实验 实验五、金属纤维组织对零件机械性能的影响 实验六、焊接接头的金相组织观察分析

4.1 铝及铝合金 4.1.1 纯铝 4.1.2 铝合金概述 4.1.3 变形铝合金 4.1.4 铸造铝合金 4.2 铜及铜合金 4.2.1 纯铜 4.2.2 铜合金 4.2.3 黄铜 4.2.4 青铜 4.2. 5 白铜 4.2.6 铸造铜合金 4.3 镁及镁合金 4.3.1 纯镁 4.3.2 镁合金 4.4 钛及钛合金 4.4.1 纯钛 4.4.2 钛的合金化 4.4.3 钛合金的热成型 4.4.4 钛合金的热处理 4.4.5 常用加工钛合金的特性及应用 4.4.6 铸造钛及钛合金 4.5 轴承合金 4.5.1 工作条件及性能要求 4.5.2 滑动轴承合金的分类与牌号 4.5.3 常用的滑动轴承合金

采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu由金属多层膜.在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化.在Cu层厚度tcu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×104 A/m和8×103 A/m,低温下(77K)磁电阻为对33.2%和27.6%.系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响.用真空退火方法对样品进行热处理,发现多层膜的磁电阻性能有明显改变

用扫描电镜能谱分析半定量和定量测定,经不同热处理工艺的Ag-Cu、Ag-H62冷复合和磁控溅射复合电接点材料界面的成分分布,计算了扩散系数激活能实验表明,材料复合界面是金属键结合

一、工业纯铝 工业纯铝的加工产品，按纯度高低，分为L1、L2\\‘A17七个代号，编号增大，纯度降低。 二、铝合金的分类和热处理特点