模拟电路技术基础文库下载_中国高校课件下载中心

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⑴ 脉冲幅度Um 。脉冲电压变化的最大值，即脉冲波从波底至波顶之间的电压。 ⑵ 上升时间tr 。脉冲波前沿从0.1Um上升到0.9Um所需的时间。 ⑶ 下降时间tf 。脉冲波后沿从0.9Um下降到0.1Um所需的时间

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一.直流工作点分析电容开路、电感短路、激励源取直流电平值结果包含直流工作电、小信号线型化参数值。结果保存在输出文件中

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一.直流工作点分析电容开路、电感短路、激励源取直流电平值结果包含直流工作电、小信号线型化参数值。结果保存在输出文件中

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6.1.6 已知某时序电路的状态表如表题 6．1，6 所示，输人为 A，试画出它的状态图。如果电路的初始状态在 b，输人信号 A 依次是 0、1、0、1、1、1、1，试求其相应的输出

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一、填空题(每空1分,共20分) 1.11110,010002.4;3.2,上限阀值电压,下限阀值电压; 4.Qn+1=Qn+1=Qn+KQ;5.模数,数模;6.1,0; 7.时序逻辑电路,组合逻辑电路;8.高,并联使用; 9.与,或;10.只读,随机存取

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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

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5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 5.7 频率响应与阶跃响应

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10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2= sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压器内阻

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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路