第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

第二十三讲正弦波振荡电路 一、正弦波振荡的条件和电路的组成 二、RC正弦波振荡电路 三、LC正弦波振荡电路 四、石英晶体正弦波振荡电路

§6—1、基本概念 §6—2、负载谐振式逆变器 §6—3、强迫换流式逆变器 §6—4、逆变器的多重化技术 §6—5、PWM逆变器 §6—6、交——交变频电路

第7章数字电路基础 7-1数制和码制 7-2逻辑代数的基础

6–1 反馈的基本概念及基本方程 6–2 负反馈对放大器性能的影响 6–3 反馈放大器的分类及对输入、输出阻抗的影响 6–4 反馈放大器的分析和近似计算 6–5 反馈放大器稳定性讨论 6—6 运算放大器的小信号闭环带宽、压摆率及功率带宽

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量

6.7.1 共源极放大电路 合适的静态工作点Q

一、主电路形式选用 二、整流变压器设计计算 三、整流元件选择 四、主电路元件保护 五、电抗器设计

▪ 7.1 数据通信基础知识 ▪ 7.2 MCS-51单片机的串行口结构与工作原理 ▪ 7.3 串行口的控制寄存器 ▪ 7.4 串行口的工作方式 ▪ 7.5 单片机与PC机的通信