提出基于管道流体信号的自振射流特性检测方法, 将压力传感器从高压罐内移至高压罐外, 布置在高压罐外的前端管路上, 从而避开高围压环境影响; 通过双压力传感器拾取管道流体压力脉动信号, 并运用信号处理技术有效抑制干扰噪声, 提高有用信号强度, 准确获取射流的压力脉动信息.试验表明, 管道流体压力信号的频谱特征与喷嘴腔内检测法具有一致性, 且与理论计算较为吻合, 充分表征了射流的压力振荡特性; 其声功率谱与高压罐内水听器检测结果相一致, 较好地表述了射流的空化作用特性.由此认为基于管道流体信号的检测法用于自振射流特性的检测是完全可行的, 具有先进性, 为高围压下自振射流的研究提供了新手段

1-2节管理主体管理者 《管理学基础》第三次课授课计划 第一章:管理系统 第二节:管理主体一一管理者 1.通过管理工作与领导工作的异同的比较,认识管理者的概念 2.了解管理者的分类及素质要求; 3.掌握管理者的技能内容及不同管理层次对技能需求的不同比例

第二章管理思想的发展 第一节中国传统管理思想 第二节西方传统管理思想的发展 第三节西方现代管理思想的发展 第四节中国现代管理思想的发展

通过Gleeble热模拟实验机模拟了X100管线钢的粗晶热影响区（CGHAZ）及再热临界粗晶热影响区（ICCGHAZ）微观组织。采用电化学测试、浸泡实验及表面分析技术研究了交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ在库尔勒土壤溶液中的腐蚀行为。结果表明：交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ都表现为活性溶解，平均腐蚀速率随交流电流密度的增大而增加。交流干扰造成的极化电位振荡幅值及微观组织对X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ的平均腐蚀速率和腐蚀形貌有着重要影响。在5 mA·cm?2交流电流密度干扰下，母材的腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，ICCGHAZ的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都居中；在20 mA·cm?2及50 mA·cm?2交流电流密度干扰下，ICCGHAZ腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，母材的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都仍居中。在20 mA·cm?2交流电流密度交流干扰下，X100管线钢发生局部腐蚀，CGHAZ、ICCGHAZ发生明显的晶界腐蚀，GCHAZ晶界腐蚀形貌呈缝隙状、ICCGHAZ晶界腐蚀形貌为连续孔洞

操作系统对信息进行的管理称为文 件管理,主要是对信息的存储、检索、 更新、共享和保护进行管理。用户可以 不必考虑文件存储空间的使用情况及如 何组织IO,只需通过操作系统的文件管 理实现“按名存取”。文件管理使用户彻 底摆脱了与辅存在存储物理特性方面的 联系

第一节 存储器管理概述 第二节 分区存储管理 第三节 虚拟存储器 第四节 分页存储管理 第五节 段式存储管理 第六节 段页式存储管理

第1章 管理者与管理工作 第2章 管理决策 第3章 计划 第11章 理财工作管理过程 第4章 组织 第5章 领导 第6章 控制 第7章 管理思想的演变 第8章 事务型管理与变革型管理 第9章 人力资源管理过程 第10章 销售工作管理过程

1.5半导体二极管特性的测试与应用 一、半导体体二极管使用基本知识 二、半导体二极管参数选录(参见教材) 三、半导体二极管的识别与检测

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算