5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 5.7 频率响应与阶跃响应

一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

7.1磁场的基本物理 7.2磁性材料的磁性能 7.3磁路及其基本定律 7.4交流铁心线电路 7.5变压器 7.6电磁铁

7-1磁场的基本物理量 7-2磁材料的磁性能 7-3磁路及其基本定律 7-4交流铁线圈电路 7-5变压器 7-6电磁铁大

一、例题精解 【例题19.1】计算表19.1所列几种常见整流电路的变压器副边电流的有效值设为电阻性负载

一、例题精解 【例题8.1】判断下列叙述是否正确 (1)对称的三相交流电流通入对称的三相绕组中,便能产生一个在空间旋转的、恒速的、幅度按正弦规律变化的合成磁场。 (2)异步电动机的转子电路中,感应电动势和电流的频率是随转速而改变的,转速越高,则频率越高;转速越低,则频率越低

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

8-2 在图8-62所示的电路中，设集成运放的最大输出电压为±12V， R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF，Ui=0.5V，求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V，UO又是多大？如果R1因虚焊而断开，电路处于什么工作状 态？UO是多大？如果RF断开，情况又如何？