通过动态充氢恒载荷、氢渗透等实验研究轧制工艺对铌合金化热成型钢的氢致延迟开裂性能的影响.随着开轧温度从1000℃降低到950℃,热成型钢的氢扩散系数降低,氢致延迟开裂性能提高,耐腐蚀性能下降.透射电镜观察发现开轧温度为1000℃时MX型析出相尺寸为30 nm;开轧温度为950℃时热成型钢的MX型析出相尺寸为5 nm左右,可以观察到直径为50 nm Cr2C3析出相.作为氢陷阱的纳米析出相是提高实验钢氢致延迟开裂性能的主要因素.析出相不同的原因是开轧温度为1000℃时MX型析出相发生熟化现象,进一步抑制Cr2C3的析出

钢渣用作建筑材料时,由于其中含有大量游离氧化钙(f-CaO),稳定性较差,通常需要改性钢渣以提高其稳定性、胶凝性. 在对钢渣、高炉渣进行化学成分和矿物组成分析的基础上,对高炉渣改性钢渣的可能性进行了热力学计算,结果表明高炉渣中的SiO2与钢渣中f-CaO反应,生成胶凝相,同时降低了钢渣中的f-CaO含量. 本文通过研究热态高炉渣改性钢渣,结合X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜及能谱分析等研究方法,对改性钢渣的矿物成分、f-CaO含量、黏度变化等进行了分析. 研究发现随着热态高炉渣配比量的增加,改性渣黏度缓慢增加,改性钢渣中f-CaO、RO相含量降低,改性渣的胶凝性能提高. 在1550℃下,钢渣中添加10%高炉渣时,改性渣中2CaO·SiO2(C2S)、3CaO·SiO2(C3S)含量显著提高,f-CaO质量分数降至1.64%,稳定性大大提高,符合建材化使用要求. 此外,进一步使用焦炭还原改性渣中的铁,轻松实现了渣铁分离,提高改性渣的易磨性

一 学科平台课程 1《工程制图 C1》 2《工程制图 C2》 3《电工与电子技术》 4《电工与电子技术实验》 5《工程力学 B》 二 专业课程 1《机械设计基础》 2《自动控制原理》 3《流体力学》 4《工程热力学》 5《传热学》 6《建筑环境学》 7《建筑概论》 8《建筑环境测试技术》 9《热质交换原理与设备》 10《供热工程》 11《流体输配管网》 12《建筑设备自动化》 13《暖通空调》 14《建筑热源》 15《空调用制冷技术》 16《建筑给排水》 17《建筑设备施工经济与组织》 三 个性化发展课程 1《专业文献阅读》 2《建筑设备施工技术》 3《建筑电气》 4《高层建筑防排烟》 5《工程测量》 6《专业概论与学科前沿》 7《建筑节能新技术》 8《绿色建筑评价标准》 9《BIM 技术应用》 四 实践环节 1《建筑热源课程设计》 2《供热工程课程设计》 3《建筑给排水课程设计》 4《暖通空调课程设计》 5《空调用制冷技术课程设计》 6《建筑设备自动化课程设计课程设计》 7《建筑设备施工经济与组织课程设计》 8《建筑电气课程设计》 9《工程训练 B》 10《认识实习》 11《生产实习》 12《毕业设计》

1、书写标识符时,忽略了大小写字母的区别。 编译程序把a和A认为是两个不同的变量名,而显示出错信息。C认为大写字母和小写字母是两个不同的字符。习惯上,符号常量名用大写,变量名用小写表示,以增加可读性 。 2、忽略了变量的类型,进行了不合法的运算。 printf(\%d\, a%b) 是求余运算,得到a/b的整余数。整型变量a和b可以进行求余运算,而实型变量则不允许进行「求 余」运算 。 3、将字符常量与字符串常量混淆。 在这里就混淆了字符常量与字符串常量,字符常量是由一对单引号括起来的单个字符,字符串常量是一对 双引号括起来的字符序列

1、企业安全文化 a、安全文化（概念、定义、层次结构、与安全教育、安全科学的关系，普及大众安全文化的重点，新世纪中国安全文化建设总原则） b、企业安全文化（定义、建设、形态、对象、建设模式（10 类）） c、公共安全文化（社区文化、交通文化、消防文化、休闲娱乐文化、保健文化） 2、安全的社会效应 a、安全与社会的稳定直接相关 b、安全工作的重要性及所面临的挑战 3、安全科学与社会科学 科学的概念、安全科学的概念、安全科学研究对象及主要内容 4、安全法规和法制 a、安全法规（本质、特征、法律规范、法律关系、法律责任、安全法规的功能分类与作用，和科学技术的关系） b、安全法制（安全法规的立法，安全监察机构的定位与建设，现行体制） c、安全生产及基本要求（安全生产方针、安全生产的 9 点要求）

应用X射线衍射,选区电子衍射和同步X射线衍射等方法,对锂离子电池正极材料Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2的结构和充放电行为进行了研究.结果表明Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2可标定为单相α-NaFeO2,并具有$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $chex.超结构特征.电池充电时,伴随锂离子的脱出,相邻氧原子层间的静电斥力逐渐增大,当电压为3.8V时应力达到最大.接近4.6V时,晶胞常数c急剧下降,绝大多数Li+从材料的锂层拔出,Ni2+发生氧化.4.6~4.8V之间c增大,a变化很小,说明过渡金属层中的Li+拔出,而过渡金属离子的氧化状态未改变

利用DSD酸生产过程产生的铁泥,研制出既能用作常规冶金原料,又能用于处理DSD酸氧化废水的水处理用海绵铁.研究表明:在配碳量27%、反应温度1160℃、反应时间16min的情况下,以铁泥为原料制备的常规海绵铁的金属化率可达90%以上;用于处理DSD酸氧化废水的海绵铁适宜配碳量为29%,用制备出的海绵铁处理DSD酸氧化废水,在pH值3~5、反应时间40min时,出水的CODCr去除率可达68%、色度的去除率达90%、可生化性指标BOD/COD提高到0.425.海绵铁中所含C,Fe3C和其他一些杂质元素,这些元素能与铁在水中形成无数微小原电池产生大量[H],[OH]和[Fe2+],从而氧化还原废水中的有机物,达到污染物降解和提高废水可生化性的目的.海绵铁的微孔结构非常发达,使其具有比表面积大、活性高的特点.是一种替代常规铁屑的理想材料

第一章 电路的基本概念基本定律 § 1-1 电路及电路模型 § 1-2 电路基本物理量（电路变量） § 1-3 电功率和电能 § 1-4 基尔霍夫定律 § 1-5 电阻元件 § 1-6 电压源和电流源 § 1-7 用电位的概念分析电路 第二章 直流电路 § 2-1 电阻的串联、并联、混联 § 2-2 电阻的星形、三角形连接及等效变换 § 2-3 含源串联、并联和混联电路的等效化简 § 2-4 支路电流法 § 2-5 节点电位法（节点法） § 2-6 叠加定理 § 2-7 戴维南定理 § 2-8 含受控源电路的分析 § 2-9 最大功率传递定理 第三章 电容元件和电感元件 § 3-1 电容元件（简称电容） § 3-2 电容器的联接 § 3-3 电感元件（简称电感） 第四章 正弦交流电路 §4-1 正弦量的基本概念 §4-2 正弦量的有效值与平均值 §4-3 正弦量的相量表示 §4-4 基尔霍夫定律的相量形式 §4-5 单一元件VCR的相量形式 §4-6 R L C串联电路和复阻抗 §4-7 G、C、L并联电路和复阻抗 §4-8 正弦交流电路的计算 §4-9 正弦交流电路的功率 §4-10 功率因数的提高 §4-11 交流负载获得最大功率的条件 §4-12 三相电路 第五章 谐振电路 §5-1 串联谐振 §5-2 并联谐振 第六章 一阶动态电路和分析 §6-1 换路定律 §6-2 一阶电路的零输入响应 §6-3 直流激励下一阶电路的零状态响应 §6-4 一阶电路的全响应 §6-5 一阶电路的三要素法 §6-6 微分电路和积分电路 第七章 互感耦合电路 §7—1 互感和互感电压 §7—2 耦合电感的VCR §7—3 耦合电感的串联和并联 §7—4 耦合电感的T型去耦等效电路 §7—5 变压器

第一部分 ICETEK–VC5509-AE 评估板硬件使用指导 第一章 ICETEK–VC5509-AE 评估板技术指标. 第二章 ICETEK–VC5509-AE 原理图和实物图 . 第三章 接插件位置和拨档开关设置. 第四章 二次开发扩展总线（P1，P2，P3，P4）的定义与应用 第五章 TMS320VC5509 的存储空间和评估板的存储器映射 第六章 ICETEK–VC5509-AE评估板 I/O 寄存器的设计和使用. 第二部分 ICETEK-VC5509-AE 教学系统软件使用指导 实验设备安装 一．开发环境 . 二．ICETEK-DSP 教学实验箱的硬件连接 . 三．构造 DSP 开发软件环境 . 四．启动和设置 CCS 一．CCS 软件应用实验 实验 1 ：Code Composer Studio 入门 . 实验 2 ：编写一个以 C 语言为基础的 DSP 程序 . 实验 3 ：编写一个以汇编(ASM)语言为基础的 DSP 程序 实验 4 ：编写一个汇编和 C 混合的 DSP 程序 . 二．基于 DSP 芯片的实验 . 实验 ：DSP 数据存取实验 三．基于 DSP 系统的实验 . 实验 ：指示灯实验 . 实验 ：拨码开关控制实验 . 第三部分 ICETEK-VC5509-AE 教学实验指导 . 实验 ：单路，多路模数转换（AD） . 实验 ：外中断 . 实验 ：DSP 的定时器

1.1 单片机简介 1.2 单片机的发展历史 1.3 单片机的特点 1.4 单片机的应用 1.5 单片机的发展趋势 1.6 MCS-51系列与AT89S5x系列单片机 1.6.1 MCS-51系列单片机 1.6.2 AT89S5x系列单片机简介 1.7 各种衍生品种的8051单片机 1.7.1 STC系列单片机 1.7.2 C8051F×××单片机 1.7.3 ADµC812单片机11 1.7.4 华邦W77系列、W78系列单片机 1.8 PIC系列单片机与AVR系列单片机 1.8.1 PIC系列单片机 1.8.2 AVR系列单片机 1.9 其他的嵌入式处理器简介 1.9.1 嵌入式DSP处理器 1.9.2 嵌入式微处理器