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一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管(P-MOSFET) 三、绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 四、自关断器件驱动电路
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1.1.1仿照图1.1.2①石英预制棒加热炉温度控制系统方框图,画出图1.1.1中光纤拉丝 盘转速控制的电子系统方框图,并加以说明
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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
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5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 5.7 频率响应与阶跃响应
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10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2= sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压 器内阻
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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
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8-2 在图8-62所示的电路中,设集成运放的最大输出电压为±12V, R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF,Ui=0.5V,求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V,UO又是多大?如果R1因虚焊而断开,电路处于什么工作状 态?UO是多大?如果RF断开,情况又如何?
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2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列,确定它们各为哪个电极,晶体管是NPN型还是PNP型?  解题思路:晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏
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1、了解DAC、ADC的分类及主要参数; 2、掌握集成D/A转换器芯片DAC0832的应用 3、掌握集成A/D转换器芯片ADC0809的应用  第1、2学时:A/D转换集成芯片及其应用  第3、4学时:D/A转换集成芯片及其应用
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