北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）数字集成电路原理与设计

4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

数字集成电路的发展 自 20 世纪 60 年代以来遵循摩尔定律，每 1.5 年集成度与速度提高一倍。 从简单的门电路到复杂的数字系统，系统复杂程度急剧提高

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也

 pn结模型  BJT型晶体管模型  MOS型晶体管模型  MOS型与BJT型晶体管的比较