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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源(教学大纲)数字集成电路原理与设计
文档格式:PDF 文档大小:220.32KB 文档页数:3
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源(教学大纲)数字集成电路原理与设计
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第4章 CMOS集成电路的制造
文档格式:PDF 文档大小:1.56MB 文档页数:22
4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第2章 集成逻辑门电路(2.4)MOS逻辑门(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:2.05MB 文档页数:70
一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
东北大学:《数字逻辑与数字系统》课程教学资源(PPT电子教案,第3版)第2章 集成逻辑门电路(2.4)MOS逻辑门(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:1.91MB 文档页数:41
一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路
高等学校电子信息类系列教材:《模拟电子技术基础》课程电子教案(PPT课件讲稿)第8章 现代模拟集成电路技术
文档格式:PPT 文档大小:2.25MB 文档页数:106
8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台
高职高专系列规划教材:《电子测量技术》课程教学资源(PPT课件)第4章 电子元器件与集成电路测量
文档格式:PPT 文档大小:1.61MB 文档页数:93
4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试
电子科技大学:《电子设计自动化技术》课程教学资源(讲义课件)数字集成电路的发展
文档格式:PDF 文档大小:312.78KB 文档页数:8
数字集成电路的发展 自 20 世纪 60 年代以来遵循摩尔定律,每 1.5 年集成度与速度提高一倍。 从简单的门电路到复杂的数字系统,系统复杂程度急剧提高
清华大学:《VLSI设计导论》课程教学课件(PPT讲稿)第三章 器件设计技术
文档格式:PPT 文档大小:586KB 文档页数:46
集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用
清华大学:《VLSI设计导论》课程教学课件(PPT讲稿)第二章 集成电路工艺基础
文档格式:PPT 文档大小:256KB 文档页数:35
第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也
复旦大学:《模拟集成电路设计原理 Principle of Analog Integrated Circuit Design》课程教学资源(电子教案课件讲稿)Chapter 01 集成电路器件和模型(唐长文)
文档格式:PDF 文档大小:3.82MB 文档页数:175
pn结模型 BJT型晶体管模型 MOS型晶体管模型 MOS型与BJT型晶体管的比较
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