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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源(教学大纲)数字集成电路原理与设计

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数字集成电路原理与设计 Principle of Digital Integrated Circuits Prereq: An Introduction to Microelectronics and Circuits, Semiconductor Physics, Digital Logic Circuits Mission: Understanding fundamental principle of digital integrated circuit, able to analysis and design circuits, able to do practical applications Covers microelectronics and electronics engineering Topics include semiconductor process and devices; MOs invertor; static CMOs circuits dynamic CMOS circuits; low power CMOS circuits; combinational circuits; sequential circuits; CMOS input/output design; MOS memory 课程基本情况 数字集成电路原理与设计 课程名称 Principle of Digital Integrated Circuits 信号处理 专业方向 年级二年级三年级四年级 电路与系统 专业方向 开课时间 专业方向 「秋在夏秋夏秋在夏秋夏 适用院系微电子学系、电子学系、元培学院 专业方向 课程定位专业必修课 学分3学分 总学时64学时 先修课程微电子与电路基础,半导体物理,数字逻辑电路 集成电路设计实习,集成电路计算机辅助设计 ]盟[] 后续课程 学院平台课程群 教学方式课堂授课为主 课时分配课堂授课(48学时)+讨论课(14学时)+期中考试(2学时) 考核方式|期末考试60%+作业25%+期中考试和考勤15% 主要教材甘学温、赵宝瑛,等,集成电路原理与设计,北京大学出版社,2006 1. Jan M rabaey," Digital Integrated Circuits, A Design Perspective”,2004,影印本“数字集 成电路一一设计透视(第2版)”,清华大学出版社:或者:周润德等,译,“数字集成 参考资料 电路:电路、系统与设计”(原书第二版),北京:电子工业出版社,2004 2.NelH.E. Weste, David harris"CMOS大规模集成电路设计”(英文版第3版),影印本, 北京:机械工业出版社,2005 其它信息htp:/w.jpk.pku.edu.cn/ pku jpk/ course//ic/ lindex.htm 大纲提供者贾嵩 二、教学目的和基本要求

数字 Pr Prer Circ Cred Miss desi Cove Topi dyna CMO Song 一、 课程 开课 适用 课程 学 总学 先修 后续 教学 课时 考核 主要 参考 其它 大纲提 二、 字集成电路 inciple req: An Intro uits dits: 3 sion:Underst gn circuits, ers microele cs include s amic CMOS c OS input/out g Jia 课程基 程名称 数字集 Princ 课时间 一年 秋 春 用院系 微电子 程定位 专业必 学分 3 学分 学时 64 学 修课程 微电子 续课程 集成电 学方式 课堂授 时分配 课堂授 核方式 期末考 要教材 甘学温 考资料 1. 2. 它信息 http: 提供者 贾嵩 教学目 路原理与 of Digi oduction to M tanding fund able to do p ectronics and semiconduct circuits; low tput design; 基本情况 集成电路原理与 ciple of Digi 年级 二年级 春 夏 秋 春 子学系、电子学 必修课 分 时 子与电路基础, 电路设计实习, 授课为主 授课(48 学时 考试 60%+作业 温、赵宝瑛,等 Jan M Rabaey, 成电路――设 电路:电路、 Neil H. E. Wes 北京:机械工 ://www.jpk.pk 的和基本要 与设计 tal Inte Microelectron damental prin ractical appl d electronics tor process power CMOS MOS memo 与设计 ital Integrat 级 三年级 夏 秋 春 学系、元培学院 ,半导体物理, ,集成电路计算 )+讨论课( 业 25%+期中考 等,集成电路原 , “Digital Int 设计透视(第 2 系统与设计” ste, David Harri 工业出版社,20 ku.edu.cn/pku 要求 egrated ics and Circu nciple of digi lications. engineering and device S circuits; co ory. ted Circuits 级 四年级 夏秋春 夏 院 数字逻辑电路 算机辅助设计 14 学时)+ 期 考试和考勤 15 原理与设计,北 tegrated Circuit 版)”,清华大 (原书第二版) is “CMOS 大规 005。 ujpk/course/i d Circuit uits,Semicon tal integrate g. s; MOS inve ombinationa 夏 路 期中考试(2 学 5% 北京大学出版社 ts, A Design Pe 大学出版社;或 ),北京:电子 规模集成电路设 ic/index.htm ts nductor Phys d circuit, abl ertor; static l circuits; se 时) 社,2006 rspective”, 200 或者:周润德 等 子工业出版社, 设计”(英文版 sics,Digital L le to analysis c CMOS circ equential circ 04,影印本“数 等,译,“数字 2004; 第 3 版), 影 Logic s and cuits; cuits; 数字集 字集成 印本

1.使学生了解集成电路的发展,对集成电路重要作用有清楚的认识; 2.使学生掌握CMOS和双极集成电路的结构特点及制造工艺 3.使学生掌握CMOS和双极数字集成电路的基本电路结构、工作原理和电路分析方 使学生掌握简单电路的版图结构和版图设计; 5.为学生今后从事集成电路的设计、制造及应用研究等工作打下坚实的基础。 课程大纲和知识点 章节章节名称 课时 知识点 Key points 顺序 建议 集成电路的重要性,集成电 2/路的发展历史,摩尔定律,/ Application of Integrated Circuits, listory of IC develop, Moore's law, Scaling down theory integrated 等比例缩小定律,未来的发 Future and challenge of IC circuits 集成电路基本结 构和制作工艺 平面工艺的基本操作,N阱 Basic semiconductor process steps, N well p6cosr艺,深亚微米| MOs process, Deep submicron CMOS CMOS工艺,闩锁效应, SOI process, Latch-up, SOI CMOS process, Layout CMOS工艺,版图设计规则| design rules 集成电路中的元 阈值电压、 MOSFET电流方 Threshold voltage,, MOSFET current an 程、导电因子,寄生效应; voltage relationship, Parasitic devices 器件 8-6集成电阻、集成电容、互连| ntegrated resistors capacitors, 线的寄生电阻和寄生电容、 Interconnection and its itic resistor and Circuits devices 互连线的RC延迟 apacitor 直流电压传输特性,逻辑阈 值,噪声容限,可恢复逻辑,| Voltage transfer characteristic, Logic threshold MOS反相器 (MOS inverter) 6-4上升时间和下降时间,传输| point, Noise margin, Restorable logic, Rise and 延迟时间,有比电路和无比 fulltime, Propagation delay., Ratioless circuit 电路 静态CMOS逻辑 CMOS与非门,CMOS或非 CMOS NAND and NOR circuits, CMOS logic Static CMOS/86门,CMos逻辑门的设计, 电路 design, CMOS EXOR circuits, Transmission CMOS异或电路,传输门的 gate, Threshold loss 逻辑特点,阈值损失 动态CMOS逻辑 预充求值动态CMOS电路,| Pre-charge evaluation dynamic circuits, Charge (Dynamic CMOS/6. 电荷分享,级联问题,| sharing, Cascading dynamic logic, Domino Domino cmos CMOS inuits CMOS电路的功 耗 动态功耗、短路功耗、静态| Dynamic power dissipation, Short circuit 4-2|功耗、亚阈值电流、开关活 Sub-threshold current 动因子 Activity factors CMOS cIrcuits) 8CMos组合逻辑8-6多路器和逆多路器传输门 Multiplexor and Demux, MUX based or

1. 使学生了解集成电路的发展,对集成电路重要作用有清楚的认识; 2. 使学生掌握 CMOS 和双极集成电路的结构特点及制造工艺; 3. 使学生掌握 CMOS 和双极数字集成电路的基本电路结构、工作原理和电路分析方 法; 4. 使学生掌握简单电路的版图结构和版图设计; 5. 为学生今后从事集成电路的设计、制造及应用研究等工作打下坚实的基础。 三、 课程大纲和知识点 章节 顺序 章节名称 课时 建议 知识点 Key Points 1 绪论 (Introduction to integrated circuits) 2 集成电路的重要性,集成电 路的发展历史,摩尔定律, 等比例缩小定律,未来的发 展和挑战 Application of Integrated Circuits,History of IC develop, Moore’s law, Scaling down theory, Future and challenge of IC 2 集成电路基本结 构和制作工艺 (Integrated Circuits process basics ) 86 平面工艺的基本操作,N 阱 CMOS 工艺,深亚微米 CMOS 工艺,闩锁效应,SOI CMOS 工艺,版图设计规则 Basic semiconductor process steps, N well CMOS process, Deep submicron CMOS process, Latch-up, SOI CMOS process, Layout design rules 3 集成电路中的元 器件 (Integrated Circuits devices) 86 阈值电压、MOSFET 电流方 程、导电因子,寄生效应; 集成电阻、集成电容、互连 线的寄生电阻和寄生电容、 互连线的 RC 延迟 Threshold voltage, MOSFET current and voltage relationship, Parasitic devices , Integrated resistors and capacitors , Interconnection and its parasitic resistor and capacitor 4 MOS 反相器 (MOS inverter) 64 直流电压传输特性,逻辑阈 值,噪声容限,可恢复逻辑, 上升时间和下降时间,传输 延迟时间,有比电路和无比 电路 Voltage transfer characteristic, Logic threshold point, Noise margin, Restorable logic, Rise and fall time, Propagation delay, Ratioless circuit 5 静态 CMOS 逻辑 电路 (Static CMOS circuits) 86 CMOS 与非门,CMOS 或非 门,CMOS 逻辑门的设计, CMOS 异或电路,传输门的 逻辑特点,阈值损失 CMOS NAND and NOR circuits, CMOS logic design, CMOS EXOR circuits, Transmission gate, Threshold loss 6 动态 CMOS 逻辑 电路 (Dynamic CMOS circuits) 64 预充求值动态 CMOS 电路, 电荷分享,级联问题, Domino CMOS Pre-charge evaluation dynamic circuits, Charge sharing, Cascading dynamic logic, Domino CMOS 7 CMOS 电路的功 耗 (Low power CMOS circuits) 42 动态功耗、短路功耗、静态 功耗、亚阈值电流、开关活 动因子 Dynamic power dissipation , Short circuit power, Static power, Sub-threshold current, Activity factors 8 CMOS 组合逻辑 86 多路器和逆多路器,传输门 Multiplexor and Demux, MUX based on

电路 多路器电路编码器和译码| transmission gates, Encoder and decoder,Ful 器全加器进位链电路| adders, Carry chain CMOS circuits) 时序逻辑,双稳态电路,RS 时序逻辑电路 锁存器和触发器,D锁存器 Sequential logic, Bi-stable circuit, Rs latch an 9 Sequential CMOSI6-4 和触发器,数据建立时间 p-flop, D latch and flip-flop, Set inuits) hold time, Shifter register, Counter 移位寄存器,计数器 CMOS集成电路 的IO设计 输入缓冲器,输出缓冲器 10( CMOS 4-2ESD保护电路,三态输出和/" uffer, Output buffer, SD structure, Tristate output and bi-direction buffers input/output 双向ⅣO缓冲器 OS存储器的分类,存储 MOS memory types, Memory architecture, 11/Mos存储器 器的总体结构,存储器外围 (MOS memory) 电路,DRAM、SRAM和 Peripheral circuits, DRAM SRAM and ROM cells ROM的单元结构 四、课程特色 1.紧密结合集成电路的发展状况,不断调整课程设置、更新教材和教学内容。突出以 CMOS电路为主,为此我们编写了“集成电路原理与设计”教材(北京大学出版社 2006;2007年第2次印刷),该教材列入国家“十一五”教材规划,并在2007年被 评为国家普通高等教育精品教材。 2.教学内容先进,反映了集成电路发展中出现的新技术、新器件和新电路。如第1 章绪论的内容在讲课中随时更新。在第2章介绍了亚100 nmCMOS工艺中引入的 新工艺和新的器件结构 3.突出重点、加强基础。在课程内容安排上突出CMOS基本单元电路结构和特性的 分析,通过基本单元电路让学生掌握CMOS电路的结构特点和电路分析方法 4.理论和实践结合。在课程中安排简单的版图设计练习,以及用 SPICE进行电路方 针分析,使学生对影响电路性能的参数有感性的认识。另外,与后续课“集成电路 实习”紧密结合,培养学生的电路设计能力

电路 Combinational CMOS circuits) 多路器电路,编码器和译码 器,全加器, 进位链电路 transmission gates, Encoder and decoder, Full adders, Carry chain 9 时序逻辑电路 Sequential CMOS circuits) 64 时序逻辑,双稳态电路,R-S 锁存器和触发器,D 锁存器 和触发器, 数据建立时间, 移位寄存器,计数器 Sequential logic, Bi-stable circuit, RS latch and flip-flop, D latch and flip-flop, Setup time and hold time, Shifter register, Counter 10 CMOS 集成电路 的 I/O 设计 (CMOS input/output design) 42 输入缓冲器,输出缓冲器, ESD保护电路, 三态输出和 双向 I/O 缓冲器 Input buffer, Output buffer, ESD structure, Tristate output and bi-direction buffers 11 MOS 存储器 (MOS memory) 84 MOS 存储器的分类,存储 器的总体结构,存储器外围 电路, DRAM、SRAM 和 ROM 的单元结构 MOS memory types, Memory architecture, Peripheral circuits,DRAM SRAM and ROM cells 四、 课程特色 1. 紧密结合集成电路的发展状况,不断调整课程设置、更新教材和教学内容。突出以 CMOS 电路为主,为此我们编写了“集成电路原理与设计”教材(北京大学出版社, 2006;2007 年第 2 次印刷), 该教材列入国家“十一五”教材规划,并在 2007 年被 评为国家普通高等教育精品教材。 2. 教学内容先进,反映了集成电路发展中出现的新技术、新器件和新电路。如第 1 章绪论的内容在讲课中随时更新。在第 2 章介绍了亚 100nmCMOS 工艺中引入的 新工艺和新的器件结构。 3. 突出重点、加强基础。在课程内容安排上突出 CMOS 基本单元电路结构和特性的 分析,通过基本单元电路让学生掌握 CMOS 电路的结构特点和电路分析方法。 4. 理论和实践结合。在课程中安排简单的版图设计练习,以及用 SPICE 进行电路方 针分析,使学生对影响电路性能的参数有感性的认识。另外,与后续课“集成电路 设计实习”紧密结合,培养学生的电路设计能力

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