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宜宾学院:《微生物工程工艺原理》课程教学课件(PPT讲稿)第十一章 发酵经济学
文档格式:PPT 文档大小:194KB 文档页数:23
宜宾学院:《微生物工程工艺原理》课程教学课件(PPT讲稿)第十一章 发酵经济学
宜宾学院:《微生物工程工艺原理》课程教学课件(PPT讲稿)第四章 柠檬酸发酵机制
文档格式:PPT 文档大小:283KB 文档页数:22
重点:柠檬酸生物合成途径;柠檬酸生物合成的代谢调节机制。 难点:柠檬酸生物合成的代谢调节机制
原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为
文档格式:PDF 文档大小:5.7MB 文档页数:8
研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2(α-石英),下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力
华东理工大学精品课程:《发酵原理》第一讲 代谢工程导读
文档格式:PPT 文档大小:138KB 文档页数:38
研究代谢工程的就是 为了能精确地处理好微生 物细胞自身的利益与人类 对微生物细胞提出的要求 之间的对立与统一的关系
安徽科技学院:《微生物工程》课程教学资源(教案讲义)理论授课教案(负责人:李正鹏)
文档格式:DOC 文档大小:346.5KB 文档页数:61
第一章 绪论 第二章 菌种与扩大培养 第三章 微生物的代谢调控与代谢工程 第四章 发酵原料与培养基制备 第五章 发酵工艺控制 第六章 发酵过程参数检测 第七章 微生物工程下游概论 第八章 微生物工程生产设备 第九章 发酵实例
电脉冲处理对Sn-15%Pb合金凝固组织中枝晶形态的影响
文档格式:PDF 文档大小:674.4KB 文档页数:4
研究了电脉冲处理对Sn-15%Pb合金凝固组织的影响.通过对Sn-15%Pb合金熔体施加电脉冲处理,其凝固组织发生了由原始的树枝晶向球状组织的转化,同时晶粒发生明显细化.分析认为,由于电脉冲处理作用,合金熔体结构发生了改变,使熔体中Pb的活度提高,进而引起溶质平衡分配系数的变化,导致凝固前沿的溶质富集减轻,溶质分布情况发生改变,促使树枝晶向球状组织转化,并且使凝固组织发生细化
月壤原位利用技术研究进展
文档格式:PDF 文档大小:1.44MB 文档页数:15
月球矿物资源的原位利用技术是月球基地建立和后续深空探索的基础。由于月球特殊环境及地月运输成本的限制,现有矿冶技术难以直接应用于月球矿物的原位开发。各国的科研人员围绕月球矿物资源原位利用方向开展了卓有成效的研究工作,发展了几种极具应用潜力的技术。这些方法可分为材料化成型和提取冶金两类,其中材料化成型工艺如烧结法、3D增材制造法等,主要用于将月壤直接材料化成型以制备月球基地建材。提取冶金工艺包括碳/氢化学介质还原法、电解还原法以及真空热解法等,可生产月壤矿物对应的金属单质或其低价氧化物,并获得氧气。本文概述了已有月壤原位利用技术的一般原理、基本过程、热力学动力学基础及近期研究进展。探讨了这些方法的一些优缺点,并展望了其在月球矿物原位利用上的应用前景
含碳球团的还原性和还原冷却后的强度
文档格式:PDF 文档大小:510.55KB 文档页数:4
在1273~1573 K条件下研究了不同煤种、木炭和石墨与不同种类矿石制成含碳球团的还原速度;进而讨论了温度、配碳比(C/O)、挥发分含量等因素对含碳球团还原所需时间和金属化率的影响.通过测定含碳球团还原冷却后的强度,对影响强度因素进行了分析.还原冷却后的强度在温度1273 K时较低,配入含挥发分较高的气煤,可以使还原冷却后的强度提高,加快反应速度
长安大学:《建筑技术经济学》课程教学资源(PPT课件)第九章 价值工程
文档格式:PPT 文档大小:159KB 文档页数:22
第一节 价值工程的基本概念 一、价值工程的兴起与发展 二、价值工程的定义及其特点 三、价值工程的工作程序 第二节 价值工程的科学管理观念与思想 一、提倡现代产品价值观 二、价值工程的指导思想 第三节 价值工程的对象选择 一、价值工程对象选择的原则 二、选择对象的方法
氯化汞触媒的汞挥发速率
文档格式:PDF 文档大小:266.65KB 文档页数:4
采用通量箱、比表面积分析仪、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪测试了电石法聚氯乙烯(PVC)行业中高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率、比表面积、成分及汞形态.研究表明:高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率分别为1.04×10-7、5.90×10-8和2.47×10-4mg·g-1·min-1.高汞触媒使用后氯化汞被还原为单质汞,且汞吸附于触媒表面,导致废高汞触媒汞挥发速率远高于新汞触媒
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