5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2= sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压 器内阻

一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

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8-2 在图8-62所示的电路中，设集成运放的最大输出电压为±12V， R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF，Ui=0.5V，求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V，UO又是多大？如果R1因虚焊而断开，电路处于什么工作状 态？UO是多大？如果RF断开，情况又如何？

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

8.1 OLED基础 8.2 OLED显示器的有源驱动技术 8.3 有机发光TFT 8.4 AMOLED像素补偿电路 8.5 AMOLED制造工艺技术

本课程是中等职业学校信息技术类专业的一门技术基础课,是实践性较强的课 程。其任务是使学生具备从事信息技术工作的高素质劳动者和中初级专门人才所需 的电子线路的基本原理、基本知识和基本技能,并为培养学生的创新能力和全面素 质打下良好基础

一、BJT的结构简介： BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有三个电极。 根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型。 结构上可分成： 三个区域：基区、发射区、集电 区

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1. 随着温度升高，二极管的反向电流将 。 2. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的 问题