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文档格式:PPT 文档大小:336KB 文档页数:27
常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础
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常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础
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常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础
文档格式:DOC 文档大小:134KB 文档页数:2
一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
文档格式:PPT 文档大小:1.54MB 文档页数:45
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
文档格式:PDF 文档大小:2.27MB 文档页数:12
10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2= sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压 器内阻
文档格式:DOC 文档大小:134KB 文档页数:2
一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
文档格式:DOC 文档大小:1.58MB 文档页数:325
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8-2 在图8-62所示的电路中,设集成运放的最大输出电压为±12V, R1=10KΩ,RF=90KΩ,R’=R1 //RF,Ui=0.5V,求正确情况下的UO。如果 Ui=1.5V,UO又是多大?如果R1因虚焊而断开,电路处于什么工作状 态?UO是多大?如果RF断开,情况又如何?
文档格式:PPT 文档大小:2.36MB 文档页数:38
2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列,确定它们各为哪个电极,晶体管是NPN型还是PNP型?  解题思路:晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏
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