场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

第9章半导体传感器 9.1气敏传感器口 9.2湿敏传感器 9.3色敏传感器口 9.4半导体式传感器的应用

存储器概述 存储器是数字系统和电子计算机的重要组成部分; 功能:存放数据、指令等信息。 按材料分类 1、磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带 本课主要讲述 2、光介质类——CD、DVD 半导体介质类 3、半导体介质类——ROM、RAM等 器件 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,硬盘

存储系统及半导体存储器的主要内容，半导体存储器的分类，随机存取存储器 ，只读存储器，CPU与存储器的连接 ，微机中存储系统的结构

6.1半导体的基本知识 6.2半导体二极管 6.3特殊二极管 6.4双极型二极管 6.5单极型三极管

一、PN结及其单向导电特性 1.PN结的形成 在P型半导体和N型半导体交界处,随着扩散运动的进行,在P区一侧留下不能移动的负离子,在N区一侧留下不能移动的正离子,这个区域称为空间电荷区,如图1-6

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

7.1半导体的基本知识 7.2PN结及其特性 7.3半导体二极管 7.4特殊二极管 7.5整流电路 7.6滤波电路 7.7硅稳压管稳压电路

10.1半导体的基础知识，P型硅，N型硅 10.2 PN结及半导体二极管 10.3 稳压二极管 10.4 三极管

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件