第二节半导体二极管 、PN结及其单向导电特性 1.PN结的形成 在P型半导体和N型半导体交界处,随着扩散 运动的进行,在P区一侧留下不能移动的负离子 ,在N区一侧留下不能移动的正离子,这个区域 称为空间电荷区,如图1-6。 4簧
第二节 半导体二极管 在 P 型半导体和 N 型半导体交界处，随着扩散 运动的进行，在 P 区一侧留下不能移动的负离子 ，在 N 区一侧留下不能移动的正离子，这个区域 称为空间电荷区，如图 1-6 。 1.PN结的形成 一、PN结及其单向导电特性
图1-6 空间电荷区 P区 1N区 空穴e守99⊕④击中电子 eGQ9⊕⊕ 内电场 张 图1-6PN结的形成 4簧
图1-6 电子 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋＋ 空间电荷区 P区 N区 内电场 空穴 － －－－ － － － － －－ －－ － － －－ －－ ＋＋ ＋ ＋ ＋ ＋＋ ＋＋ 图1-6 PN结的形成
空间电荷区 空间电荷区又称内电场,内电场方向由N 区指向P区内电场有助于少数载流子的漂移 运动当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时, 空间电荷区的宽度便基本稳定下来。 张 4簧
空间电荷区 空间电荷区又称内电场，内电场方向由 N 区指向 P 区内电场有助于少数载流子的漂移 运动当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时， 空间电荷区的宽度便基本稳定下来
2PN结单向导电性 1变窄 变宽 P区O}N区 Pee由N 分⊕⊕ 由 内电场R 电场R 外电场 外电场 E 张 4簧
2.PN结单向导电性 － － － ＋ ＋ ＋ 变窄 P区 N区 内电场 I 外电场 E R 变宽 P N 内电场 外电场 －－－ E R －－－ －－－ ＋＋＋ ＋＋＋ ＋＋＋
PN结单向导电性 PN结具有单向导电性,PN结加正向电压时, 电路中有较大电流流过,PN结导通;PN结加 反向电压时,电路中电流很小,PN结截止 张 4簧
PN 结单向导电性 PN 结具有单向导电性 ，PN 结加正向电压时， 电路中有较大电流流过， PN 结导通； PN 结加 反向电压时，电路中电流很小， PN 结截止
、二极管的结构 按结构不同可分为点接触 型和面接触型二极管。 阳极 VD 按材料不同又可分为硅和锗 阴极 二极 图1-9半导体二 极管符号 二极管符号如图1-9所示。 张 4簧
二、二极管的结构 按结构不同可分为点接触 型和面接触型二极管。 按材料不同又可分为硅和锗 二极管。 二极管符号如图 1-9所示。 阳极 阴极 D 图1-9 半导体二 极管符号
、二极管的伏安特性 (1)正向特性 锗管死区电压约为0.2V 硅管死区电压约为0.5V (2)反向特性 张 反向击穿。 4簧
三、二极管的伏安特性 （ 1 ）正向特性 锗管死区电压约为 0.2V。 硅管死区电压约为 0.5V。 （ 2 ）反向特性 反向击穿
图1-10 mmA锗管硅管 正向特性 20 死区电压 201010 →U/V 0.51.01.5 反向特性 20 40 A 张 图1-10二极管的伏安特性 4簧
图1-10 锗管 正向特性 10 I/mA 硅管 U/V 0 20 40 30 20 20 10 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 图1-10 二极管的伏安特性
四、二极管的主要参数 (1)最大整流电流 (2)最大反向工作电压 (3)最大反向电流 (4)最高工作频率 张 4簧
四、二极管的主要参数 （ 1 ）最大整流电流 （ 2 ）最大反向工作电压 （ 3 ）最大反向电流 （ 4 ）最高工作频率
五、特殊二极管 1.硅稳压二极管 硅稳压二极管是半导体二极管的一种,其正常 工作在反向击穿区在电路中它与适当的电阻配合, 具有稳定电压的作用,故称稳压管。 稳压管的伏安特性曲线及符号如图1-11所示。 2发光二极管 3.光电二极管 4簧
五、特殊二极管 1.硅稳压二极管 硅稳压二极管是半导体二极管的一种，其正常 工作在反向击穿区在电路中它与适当的电阻配合， 具有稳定电压的作用，故称稳压管。 稳压管的伏安特性曲线及符号如图 1-11 所示。 2.发光二极管 3.光电二极管