◼单片机系统的三总线的构造 ◼半导体存储器 ◼程序存储器和数据存储器的扩展方法 ◼E2PROM的使用 ◼程序存储器和数据存储器的同时扩展

3.1 仿生嗅觉传感器 金属氧化物型半导体气敏传感器 导电聚合物气敏传感器 质量型气敏传感器 化学电容型气敏传感器 电位型气敏传感器 热电式气敏传感器 光学式气敏传感器 3.2 仿生嗅觉传感器阵列

绪论 第一章 半导体二极管和三极管 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 第二章 基本放大电路 §2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 晶体管放大电路的三种接法 §2.6 场效应管及其基本放大电路 §2.7 基本放大电路的派生电路 第三章 多级放大电路 §3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级 §3.5 直接耦合多级放大电路读图 第四章 集成运算放大电路 §4.1 概述 §4.2 集成运放中的电流源 §4.3 集成运放的电路分析及其性能指标 第五章 放大电路的频率响应 §5.1 频率响应的有关概念 §5.2 晶体管的高频等效电路 §5.3 放大电路的频率响应 第六章 放大电路中的反馈 §6.1 反馈的概念及判断 §6.2 负反馈放大电路的方框图及放大倍数的估算 §6.3 交流负反馈对放大电路性能的影响 §6.4 负反馈放大电路的稳定性 §6.5 放大电路中反馈的其它问题 第七章 信号的运算和处理 §7.1 集成运放组成的运算电路 §7.2 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 §7.3 有源滤波电路 第八章 波形的发生和信号的转换 §8.1 正弦波振荡电路 §8.2 电压比较器 §8.3 非正弦波发生电路 §8.4 信号的转换 第九章 功率放大电路 §9.1 概述 §9.2 互补输出级的分析计算 第十章 直流电源 §10.1 直流电源的组成 §10.2 单相整流电路 §10.4 稳压管稳压电路 §10.5 串联型稳压电路 §10.6 开关型稳压电路 §10.3 滤波电路

医学电子仪器的特点 医学电子仪器的分类 半导体器件的基础知识 生物医学放大电路 电子振荡电路 直流稳压电路 数字逻辑电路

4.1 概述 4.2 存储器的层次结构 4.3 高速缓冲存储器（Cache) 4.4 存储介质 1.存储器的分类 2.存储器的层次结构 3.半导体存储芯片的译码方式（线选法、重合法）及其特点 4.存储器的性能指标 5.SRAM的工作原理 6.DRAM的工作原理 7.DRAM的刷新方式及其特点 8.磁表面存储器的记录方式 9.硬盘记录格式中的几个概念—盘面、磁道、扇区、柱面等 10.几种主要辅存的特点 11.CRC校验

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

内容要点： 电阻器与电容器 电容器 电感器 变压器 二极管 半导体分立器件 其他常用器件 目的与要求： 了解电阻器、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管等常用电子元器件的标示方法、主要技术参数以及检测方法 掌握变压器的工作原理 掌握二极管的原理及其伏安特性

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

第一章 概论 第二章 运算基础 第三章 微处理器结构 第四章 半导体存储器 第五章 8086的寻址方式和指令系统 第六章 汇编语言程序设计 第七章 8086时序 第八章 输入/输出及中断系统 第九章 输入/输出接口技术 第十章 数/模与模/数接口技术

5.1存储器的分类与组成 5.2随机存取存储器（ＲＡＭ） 5.3读存储器（ＲＯＭ） 5.4存储器的连接 5.5几种新型的半导体存储器 5.6磁表面存储器 5.7光盘存储器