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根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率

水力设计(含水力实验) 结构设计(含强度计算和校核、工艺审查) 同时设计还可分为: 初步设计确定水力模型和水力参数、 机组总体设计方案、论证制造工艺、运输等 等

《机械制造工程学》课程教学课件（实验指导）02 组合夹具设计装配与调整实验指导书

北京信息科技大学：《设计专业方向综合实验》课程实验教学大纲