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新型传感器原理及应用:《现代传感技术》(PPT课件)第4讲 电荷耦合器件(CCD)第一节 CCD的物理基础 第二节 CCD的工作原理
文档格式:PPT 文档大小:1.24MB 文档页数:18
实现光电转换、信号储存、转移、输出、处理及电子快门等。 特点: (1)体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长
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沙洲职业工学院:《自动检测技术》课程电子教案(PPT教学课件)目录(主讲:葛华)
文档格式:PPT 文档大小:244.5KB 文档页数:3
第一章 检测技术的基本知识 第二章 电阻式传感器 第三章 电容式传感器 第四章 电感式传感器 第五章 压电式传感器 第六章 磁电式传感器 第七章 热电偶传感器 第八章 光电传感器 第九章 霍尔传感器 第十章 其他传感器 第十一章 检测系统的干扰抑制技术
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第二章 角度测量 PPT课件(共七节)
文档格式:PPS 文档大小:4.96MB 文档页数:46
第一节 角度测量的概念 第二节 光学经纬仪 第三节 光学经纬仪基本操作 第四节 水平角观测技术方法 第五节 竖直角观测技术方法 第六节 角度测量误差与预防 第七节 光电经纬仪
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重庆大学:《网络体系结构与协议》研究生课程教学资源(PPT课件讲稿)第8章 数据中心网络及其体系结构
文档格式:PPT 文档大小:2.35MB 文档页数:90
8.1 数据中心与数据中心网络概述 8.2 电交换数据中心网络架构 8.3 光电混合交换数据中心网络架构 8.4 光交换与光互连数据中心网络架构 8.5 数据中心网络的路由技术 8.6 数据中心网络的传送技术 8.7 软件定义数据中心网络
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重庆科技学院:《油气在线分析理论与方法》课程教学课件(PPT)第05章 半导体激光气体分析仪原理
文档格式:PPTX 文档大小:2.18MB 文档页数:77
半导体激光吸收光谱技术(DLAS,Diode Laser Absorption Spectroscopy)最早于20世纪70年代提出。随着半导体激光技术在20世纪80年代的迅速发展,DLAS技术开始应用于大气研究、环境监测、医疗诊断和航空航天等领域。 一、半导体激光器和光电探测器 二、激光气体分析仪的工作原理 三、技术优势与发展方向 四、典型产品及其应用 五、调校、维护和检修
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东北大学:《电工与电子技术(模拟电路)》课程教学资源(PPT课件讲稿)第14章 二极管和晶体管
文档格式:PPT 文档大小:833.5KB 文档页数:42
14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
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《计算机硬件基础》课程教学资源(PPT讲义课件)第三十章 高技术输入
文档格式:PPT 文档大小:763.5KB 文档页数:51
一、数码相机的定义 数码相机又称为数字相机,简称DCS(Digital Still Camera)。其实质是一种非胶片相机,它 采用CCD(电荷藕合器件)或CMOS(互补金 属氧化物半导体)作为光电转换器件,将被摄 物体以数字形式记录在存储器中
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图案化氧化锌在能源器件中的应用
文档格式:PDF 文档大小:1.26MB 文档页数:8
ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值
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运城学院:《微机原理与接口技术 Principles and Application of Micro-Computer》课程教学资源(PPT课件讲稿)第13章 功率接口设计
文档格式:PPT 文档大小:1.49MB 文档页数:71
13.1 单片机与外围集成数字驱动电路的接口 13.2 单片机与光电耦合器的接口 13.2.1. 晶体管输出型光电耦合器驱动接口 13.2.2. 晶闸管输出型光电耦合器驱动接口 13.3 单片机与继电器的接口 13.3.1 单片机与直流电磁式继电器功率接口 13.3.2 单片机与交流电磁式接触器的接口 13.4 单片机与晶闸管的接口 13.4.1 单向晶闸管 13.4.2 双向晶闸管 13.4.3 光耦合双向可控硅驱动器 13.5 单片机与集成功率电子开关输出接口 13.5.1 集成功率电子开关TWH8751简介 13.5.2 集成功率电子开关TWH8751的典型应用 13.6 单片机与固态继电器的接口 13.6.1 固态继电器的特性与分类 13.6.2 固态继电器的应用 13.7 低压开关量信号输出技术
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多晶黑硅的制备及其组织性能
文档格式:PDF 文档大小:750.49KB 文档页数:4
利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好
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