拟电子彼求 第1章半导体二极管 14·特殊二极管 4急压二极管 442E版管
1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.2 光电二极管 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 1.4.1稳压二极管 、主要参数 伏安特性 1.稳定电压U乙 符号 工作条件 流过规定电流时稳压管 反向击穿 两端的反向电压值。 2.稳定电流Lz /mA 越大稳压效果越好, 小于Inn时不稳压 特性 3.最大工作电流M 最大耗散功率PzM PzM=UZ IZM 4.动态电阻z几g~几十g Zmax rz=△Uz/△z 越小稳压效果越好
1.4.1 稳压二极管 一、伏安特性 符号 工作条件： 反向击穿 iZ /mA O uZ/V −UZ − IZmin − IZmax UZ IZ − IZ 特性 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = UZ / IZ 越小稳压效果越好。 几 几十 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 5.稳定电压温度系数Cr △U bz×100% 般, △T Uz7V,Cn>0(为雪崩击穿)具有正温度系数; 4V<Uz<7V,Cr很小
5. 稳定电压温度系数 CT Z 100% Z T = T U U C 一般， UZ 7 V，CTV > 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V < UZ < 7 V，CTV 很小。 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 例1.4.1分析简单稳压电路的工作原理,R为限流电阻 当U波动时(R1不变) bo1↑,Uo↑→lz个/R个 U 反之亦然 Ir=Z+lL 当R变化时(U1不变) Uo=U-lD R R1-yo→→lR√ 反之亦然
例 1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当 UI 波动时(RL不变) → → → O L O Z R U R U I I UI → UO → I Z → I R UO 反之亦然 当 RL 变化时(UI 不变) 反之亦然 UI UO R RL IR IL IZ 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 1.4.2发光二极管与光敏二极管 发光二极管LED( Light Emitting diode) 1.符号和特性 特性/mA 工作条件:正向偏置 般工作电流几十mA, 导通电压(1~2)V 2.主要参数 电学参数:IM,UBR,IR 光学参数:峰值波长A,亮度L,光通量φ 发光类型:可见光:红、黄、绿 不可见光:红外光 显示类型:普通LED,七段LED,点阵LED
1.4.2 发光二极管与光敏二极管 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 2) V 2. 主要参数 电学参数：I FM ，U(BR) ，IR 光学参数：峰值波长 P，亮度 L，光通量 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 ，点阵 LED 符号 u /V i /mA O 2 特性 七段 LED 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 发光二极管 发光二极管 型号:5133D φ8双色 规格:φ5 红光 符号:
第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 、光敏二极管 1.符号和特性暗电流 工作条件: E=200 Ix n反向偏置 E=400l 谷号 特性 2.主要参数 电学参数: 暗电流,光电流,最高工作范围 光学参数: 光谱范围,灵敏度,峰值波长 实物照片
二、光敏二极管 1．符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 2. 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 实物照片 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 补充:选择二极管限流电阻 U 步骤: 1.设定工作电压(如07V;2V(LED);Uz) 2.确定工作电流(如1mA;10mA;5mA) 3.根据欧姆定律求电阻R={U-UD)D (R要选择标称值)
补充：选择二极管限流电阻 步骤： 1. 设定工作电压(如 0.7 V；2 V (LED)；UZ ) 2. 确定工作电流(如 1 mA；10 mA；5 mA) 3. 根据欧姆定律求电阻R = (UI − UD)/ ID (R 要选择标称值) R UI UD ID 第 1 章 半导体二极管