山东理工大学：《电工学（电子技术）》课程教学资源（PPT课件讲稿）第一章半导体器件的基本知识

本章简要介绍各种半导体，导电特性。 1.1 半导体基本知识 1.3 晶体管 1.4 光电器件 1.5 绝缘栅场效应管

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第一章半导体器件的基本知识 1.1半导体基本知识一、本征半导体及导电特性 >37 >Y、价电子 si Si Si 共价健硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子，称为价电子。章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出 1.1 半导体基本知识一、本征半导体及导电特性硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子第一章半导体器件的基本知识

自由电子温度愈高， Si 晶体中产生的自由电子便愈空穴 Si 多。价电子章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出 Si Si Si Si 价电子空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子

当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 1、自由电子作定向运动→电子电流 2、价电子递补空穴→空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 1、自由电子作定向运动 →电子电流 2、价电子递补空穴 →空穴电流自由电子和空穴都称为载流子

二、杂质半导体在常温下即可变为自由电子掺入五价元素多余电子 p+ Si 磷原子章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出掺入五价元素 Si Si p+Si Si 多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子二、杂质半导体

空穴掺入三价元素硼原子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出掺入三价元素 Si Si BSi– Si 硼原子空穴无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性

2.2半导体二极管一、PN结形成及单向导电性少子的漂移运动 ●◆ 内电场 99QQeO 9999oo ⊕⊕ ⊕⊕⊕ Q9990o ⊕⊕④ Q999:O 浓度差→ 多子的扩散运动章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差－－－－－－－－－－－－－－－－ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + －－－－－－－－ 2.2 半导体二极管一、PN结形成及单向导电性

PN结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负 PN结变窄 99e99E⊕田9甲甲 99.9e9a 999096 ⊕ ⊕⊕⊕ ⊕⊕ P 内电场 N 外电场章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出 PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 I 外电场 F P 内电场 N －－－－－－－－－－－－－－－－－－ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + –

P结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正 PN结变宽 90: P 内电场 N 外电场 + 章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出 PN 结变宽外电场 IR – + P 内电场 N + + + －－－－－－ + + + + + + + + + －－－－－－－－－ + + + + + + －－－ PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正

二、二极管的基本结构-=-PN结加外壳和引线二极管的分类 (a)点接触型 (b)面接触型结面积小、结电结面积大、正容小、正向电流小。向电流大、结电容用于检波和变频等大，用于工频大电高频电路。流整流电路。章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出二、二极管的基本结构----PN结加外壳和引线二极管的分类 (a) 点接触型 (b)面接触型结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路

(c)平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。半导体二极管的符号阳极阴极 (d)符号章目录上一页下一页返回退出

章目录上一页下一页返回退出 (c) 平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。半导体二极管的符号阳极阴极 (d) 符号 D

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