一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

7.1 PLD 概述 7.1.1 PLD 的电路结构及分类 7.1.2 PLD 的编程工艺及描述的逻辑规则和符号 7.1.3 PLD 的设计过程及主要优点 7.2 只读存储器 7.2.1 ROM 的内部结构 7.2.2 用ROM 实现组合逻辑设计 7.2.3 常用的LSI ROM器件 7.3 可编程逻辑阵列 7.4 可编程阵列逻辑 7.4.1 组合PAL器件 7.4.2 时序PAL器件 7.5 通用逻辑阵列概述 7.5.1 GAL器件的主要特点 7.5.2 GAL器件的基本机构 7.5.3 GAL器件的命名及分类 7.6 硬件描述语言

一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

同济大学《机械设计》电子教材：工艺性

华中科技大学：材料科学与工程《电子封装技术工艺综合实验》实验教学讲义