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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(模拟集成电路原理与设计)第三章 单级放大器(二)
文档格式:PDF 文档大小:20.45MB 文档页数:76
共漏级-源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(模拟集成电路原理与设计)第三章 单级放大器(一)
文档格式:PDF 文档大小:13.78MB 文档页数:62
放大器基础知识 共源级 —电阻做负载 共源级 —二极管接法的MOS 管做负载 共源级 —电流源做负载 共源级-深线性区MOS管做负载 共源级-带源极负反馈
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(模拟集成电路原理与设计)第二章 MOS器件物理基础
文档格式:PDF 文档大小:13.73MB 文档页数:71
基本概念基本概念 简化模型-开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型-开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等
高职高专系列规划教材:《电子测量技术》课程教学资源(PPT课件)第4章 电子元器件与集成电路测量
文档格式:PPT 文档大小:1.61MB 文档页数:93
4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试
清华大学:《VLSI设计导论》第一章 概论
文档格式:PPT 文档大小:1.19MB 文档页数:61
第一节引言 信息产业值占国民经济总值的40%~60%是支柱 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来 计算,则小轿车为5,彩电为30,计算机为1000,而 集成电路则高达2000
清华大学:《VLSI设计导论》实验四 集成电路综合设计实验
文档格式:DOC 文档大小:119.5KB 文档页数:4
一、实验内容: 对74HC139电路的片选信号Cs支路进行分析,确定其域值电压,输入输出 延迟及功耗,并给出Cs支路的版图设计
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第二章 模拟集成电路的基本单元电路(6/7)
文档格式:PDF 文档大小:166.88KB 文档页数:10
1.组成 对称结构;两种输入方式 两种输出方式;四种组合方式 2.直流工作点
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第二章 模拟集成电路的基本单元电路(1/7)
文档格式:PDF 文档大小:110.93KB 文档页数:11
在输入端加入直流电压,改变直流电压的数值,求得相应输出电压
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第三章 MOS模拟集成电路的基本单元电路(3.2-3.4)直流传输特性曲线
文档格式:PDF 文档大小:134.18KB 文档页数:10
2. 直流传输特性曲线 c区:νI 0(小),A′→B点
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第一章 半导体工业介绍
文档格式:PPT 文档大小:1.73MB 文档页数:13
微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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