2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法

6.1 络合物的价键理论 6.1.1 价键理论 6.1.2 价键理论的成功和局限性 6.2 晶体场理论 6.2.1 正八面体配位场的势能函数 6.2.2 在正八面体配位场中 d 轨道的能级分裂 6.2.3 正四面体场中 d 轨道的能级分裂 6.2.4 高自旋态和低自旋态 6.2.5 晶体场稳定化能(CFSE) 6.2.6 络合物的畸变和姜-泰勒(Jahn-Teller)效应 6.3 络合物的分子轨道理论 6.3.1 配位体群轨道 6.3.2 络合物的分子轨道 6.3.3 络合物中的 π 键

知识点： 波函数与电子云 原子核外电子分布的一般规律 原子结构和周期表 化学键 杂化轨道理论 分子间作用力 晶体结构 5.1 原子结构的近代概念 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 5.3 化学键与分子间相互作用力 5.4 晶体结构

第1章 原子结构与键合 第2章 固体结构 第3章 晶体缺陷 第4章 固体中原子及分子的运动 第5章 材料的形变和再结晶 第6章 单组元相图及纯晶体的凝固 第7章 二元系相图及其合金的凝固 第8章 三元相图 第9章 材料的亚稳态

从材料的晶体结构出发,研究了双相不锈钢超塑性变形的机理.利用背散射电子衍射花样分析系统(EBSD),获得了双相不锈钢变形过程中的ODF图、极图和取向与转轴分布等晶体取向分布规律.结合透射电镜对微观组织的观察结果进行了综合分析.研究表明,双相不锈钢超塑性变形的机理为形变诱导析出和动态再结晶、晶界滑移以及变形中的晶粒转动

PART ON填空问题 Q01_01001原胞中有P个原子。那么在晶体中有3支声学波和3p-3支光学 Q0101_002按结构划分,晶体可分为Z大晶系,共14布喇菲格子? Q01_01004面心立方原胞的体积为=a3;其第一布里渊区的体积为9*4(2)3 0101_005体心立方原胞的体积为g 第一布里渊区的体积为Ω*=2(2n)3

§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数

共价结合是靠两个原子各贡献一个电子，形成所谓的共价键。 元素周期表中第 IV 族元素 C( Z = 6 )、Si、Ge、Sn (灰锡)等晶体，属金刚石结构，为共价晶体。 共价键的现代理论以氢分子的量子理论为基础。 两个氢原子 A 和 B，在自由状态下时，各有一个电子，其归一化波函数： A B ϕ and ϕ 每个氢原子中的电子满足薛定谔方程：

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第一节 现代价键理论 第二节 轨道杂化理论 第三节 价层电子对互斥理论 第四节 分子轨道理论 第五节 离域π键 第六节 分子间作用力和氢键 第七节 原子晶体和分子晶体