9.1 概述 9.1.1 性能指标 9.2 一级运放 9.3 两级运放 9.4 增益的提高 9.5 性能比较 9.6 共模反馈 9.7 输入范围限制 9.8 转换速率 9.9 电源抑制 9.10 运放的噪声

概述 线性电路的 S域分析法 密勒效应 极点与结点的关联 共源级 源跟随器 共栅级 共源共栅级 差分对

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择

噪声的统计特性 噪声谱（频域） 幅值分布（时域） 相关噪声源和非相关噪声源 噪声的类型 热噪声 闪烁噪声 电路中噪声的表示 单级放大器中的噪声 共源、共栅、共漏、共源共栅 差分对中的噪声 噪声带宽

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 基本单元电路 4.9 动态电路基础

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立