7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 三极管单管放大电路 7.4 场效应晶体管及其放大电路 7.5 多级放大电路 7.6 差动放大电路 7.7 互补对称功率放大电路

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况，并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果，内容涉及光催化剂的制备（包括新催化剂的开发，TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰）、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

§1 双极型晶体管（BJT） § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 § 1.3 晶体管的主要参数 § 1.4 晶体管的温度特性 § 1.5 半导体晶体管的型号

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术