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文库搜索结果(311)
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)解题(童诗白、华成英)
文档格式:PDF 文档大小:3.67MB 文档页数:203
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 ( 1) 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。( )
《电子技术基础(模拟部分)》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 场效应管放大电路
文档格式:PPT 文档大小:2.16MB 文档页数:38
4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较
中国科学技术大学:《电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿,模拟部分)第三章 二极管及其基本电路
文档格式:PPT 文档大小:2.83MB 文档页数:78
§3-1 半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3 半导体二极管 §3-4 二极管基本电路及分析方法 §3-5 特殊二极管
中国科学技术大学:《电子技术基础》课程教学资源(课件讲稿,模拟电路部分)第三章 二极管及其基本电路
文档格式:PDF 文档大小:489.79KB 文档页数:56
§3-1半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3半导体二极管 §3-4二极管基本电路及分析方法 §3-5特殊二极管
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
《数字电子技术基础》课程电子教案(PPT教学课件)第6章 半导体存储器和可编程逻辑器件
文档格式:PPT 文档大小:125KB 文档页数:12
重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用 第1、2学 时:半导体存储器RAM、ROM 第3、4学 时:ROM、RAM的应用 第5、6学 时:PLD(PAL、PLA、GAL)
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件习题答案
文档格式:DOC 文档大小:97.5KB 文档页数:3
8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器
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