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三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件习题答案

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8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器
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第八章半导体存储器和可编程逻辑器件 8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0 或1。 不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改 PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器 8-3PROM是可编程只读存储器。 EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器,使用最方便。 8-4RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单 元排列而成。在给定地址码后,经地址译码,这些被选中的存储单元由读、写控制电路 控制,实现对这些单元的读写操作。 8-5静态RAM的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。动态RAM的存 储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信 息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数据进行刷新 8-6只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随意改写。随时读出数据或 改写存储的数据,并且读/写数据的速度很快,因此,RAM多用于需要经常更换数据的 场合,最典型的应用就是计算机中的内存。但RAM在断电后,数据将全部丢失 8-7电路如图所示: w0 w1 w2 w3 W4 w5 W6 w7 w8 w9 W10 W11 W12W13w14w15 AABBCcDD "Y2

第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8-1 ROM 主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 8-2 相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数 0 或 1。 不同点:只读存储器 ROM 用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便更改。 PROM 是可编程只读存储器。EPROM 是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM 是电擦除的可编程只读存储器。 8-3 PROM 是可编程只读存储器。EPROM 是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM 是电擦除的可编程只读存储器,使用最方便。 8-4 RAM 通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单 元排列而成。在给定地址码后,经地址译码,这些被选中的存储单元由读、写控制电路 控制,实现对这些单元的读写操作。 8-5 静态 RAM 的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。动态 RAM 的存 储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信 息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数据进行刷新 8-6 只读存储器 ROM 用于存放固定不变的数据,存储内容不能随意改写。随时读出数据或 改写存储的数据,并且读/写数据的速度很快,因此,RAM 多用于需要经常更换数据的 场合,最典型的应用就是计算机中的内存。但 RAM 在断电后,数据将全部丢失。 8-7 电路如图所示:

8-8PAL有双极型熔丝工艺和ECMS两种工艺。前一种不能改写,后一种能改写。它们 的输出电路的结构类型由型号决定,在一些定型产品中仍在使用,一般不再用来开发新 产品。GAL,采用ECMS工艺,改写方便。GAL器件采用了可编程的输出逻辑宏单元OLMC, 通过编程设置成不同的输出方式,可以用同一种型号的GAL器件实现PAL器件所有的各种 输出电路工作模式,从而增强了器件的通用性,它是目前应用最广泛的PL 8-9Y=AB+BC+CD+AD Y2=AA+BB+CC+DD Y3= BD+AC Y4=BD+A 8-10驱动方程:D=MQ2Q"+MQ2Q";D=MQ2"Q"+M2"g 状态方程:Q=MQ2"Q"+MQ2"QQ"=MQ2"Q"+M2"Q 状态转换图 11一00 10 M=1(三进制加法计数器)M=0(三进制减法计数器) 8-11目前适用最多的PLD产品主要有可编程阵列逻辑PAL( Programmabel Array logic的 缩写)、通用阵列逻辑GAL( Generic Array Logic的缩写)和在系统可编程器件ISP-PLD (In- System Programmabel PLD的简称)。PLD的突出特点是:可以通过编程的方法设置其 逻辑功能 (1) PAL (2)GAL (3)ISI 8-13选择题

8-8 PAL 有双极型熔丝工艺和 E 2 CMOS 两种工艺。前一种不能改写,后一种能改写。它们 的 输出电路的结构类型由型号决定,在一些定型产品中仍在使用,一般不再用来开发新 产品。GAL,采用 E 2 CMOS 工艺,改写方便。GAL 器件采用了可编程的输出逻辑宏单元 OLMC, 通过编程设置成不同的输出方式,可以用同一种型号的 GAL 器件实现 PAL 器件所有的各种 输出电路工作模式,从而增强了器件的通用性,它是目前应用最广泛的 PLD。 8-9Y1=AB+BC+CD+AD Y2= AA+ BB +CC + DD Y3= BD + AC Y4= BD + AC 8-10 驱动方程:D1= n n n n MQ2 Q1 + MQ2 Q1 ;D2= n n n n MQ2 Q1 + MQ2 Q1 状态方程:Q1 N+1 = n n n n MQ2 Q1 + MQ2 Q1 Q2 n+1 = n n n n MQ2 Q1 + MQ2 Q1 状态转换图: 8-11 目前适用最多的 PLD 产品主要有可编程阵列逻辑 PAL(Programmabel Array Logic 的 缩写)、通用阵列逻辑 GAL(Generic Array Logic 的缩写)和在系统可编程器件 ISP-PLD (In-System Programmabel PLD 的简称)。PLD 的突出特点是:可以通过编程的方法设置其 逻辑功能。 8-12 (1) PAL (2)GAL (3)ISP 8-13 选择题

D 123 678911 BDCcccADB 234 ADcAAB

1. BD 2. D 3. C 4. C 5. C 6. C 7. A 8. D 9. B 10. A 11. D 12. C 13. A 14. ACD 15. B

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