第九章可编程逻辑器件 第八章半导体存储器和可编程逻辑器件 1.ROM由主要由哪几部分组成? 8-2.试比较RM、PROM和 EPROM及 E- PROM有哪些异同? 3-3.PROM、 EPROM和 E PROM在使用上有哪些优缺点? -4.RAM由主要由哪几部分组成?各有什么作用? 8-5.静态RAM和动态RAM有哪些区别? 8-6.RAM和ROM有什么区别,它们各适用于什么场合? 8-7.试用ROM实现下列组合逻辑函数 8-8比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同? 8-9试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示,写出Y1、Y2、Y与A、B、C、 D的逻辑关系表达式 图题8-9 8-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示,写出电路的驱动方 程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图 8-11可编程逻辑器件有哪些种类?有什么共同特点? 178
第九章 可编程逻辑器件 178 第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8-1．ROM 由主要由哪几部分组成？ 8-2．试比较 ROM、PROM 和 EPROM 及 E 2 PROM 有哪些异同？ 8-3．PROM、EPROM 和 E 2 PROM 在使用上有哪些优缺点？ 8-4．RAM 由主要由哪几部分组成？各有什么作用？ 8-5．静态 RAM 和动态 RAM 有哪些区别？ 8-6．RAM 和 ROM 有什么区别，它们各适用于什么场合？ 8-7．试用 ROM 实现下列组合逻辑函数。 8-8 比较 GAL 和 PAL 器件在电路结构形式上有什么不同？ 8-9 试分析由 PAL 编程的组合逻辑电路如图题 8-9 所示，写出 Y1、Y2、Y3 与 A、B、C、 D 的逻辑关系表达式。 图题 8-9 8-10 试分析由 PAL 编程的时序逻辑电路电路如图题 8-10 所示，写出电路的驱动方 程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。 8-11 可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？
第九章可编程逻辑器件 8-12在下列应用场合,选用哪类PLD最为适合 (1)小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。 (2)产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路 (3)要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路 CLK OE=1 图题8-10 8-13选择题 个容量为1K×8的存储器有 个存储单元。 B. 8K C.8000 D.8192 2.要构成容量为4K×8的RAM,需要_片容量为256×4的RAM。 3.寻址容量为16K×8的RAM需要 根地址线。 A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K 4.若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个 则它们的输出线(即字线加位线)共有_条 B.16 5.某存储器具有8根地址线和8根双向数据线,则该存储器的容量 为 179
第九章 可编程逻辑器件 179 8-12 在下列应用场合，选用哪类 PLD 最为适合。 （1）小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。 （2）产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。 （3）要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。 图题 8-10 8-13 选择题 1．一个容量为 1K×8 的存储器有 个存储单元。 A . 8 B . 8 K C . 8 0 0 0 D . 8192 2．要构成容量为 4 K×8 的 RAM，需要 片容量为 256×4 的 RAM。 A . 2 B . 4 C . 8 D . 3 2 3．寻址容量为 16K×8 的 RAM 需要 根地址线。 A . 4 B . 8 C . 1 4 D . 1 6 E . 16K 4． 若 RAM 的地址码有 8 位，行、列地址译码器的输入端都为 4 个 ， 则它们的输出线（ 即字线加位线）共有 条 。 A . 8 B . 1 6 C . 3 2 D . 256 5．某存储器具有 8 根地址线和 8 根双向数据线，则该存储器的容量 为
第九章可编程逻辑器件 A.8×3 B.8K×8 D.256×256 6.用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有_ A.10行10列B.5行5列C.32行32列D.1024行1024列 7.随机存取存储器具有 功能。 A.读/写B.无读/写C.只读 D.只写 8.欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端 的辅助译码器的输出端数为 A.1 9.欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端 的辅助译码器的输入端数为 10.只读存储器ROM在运行时具有 功能。 A.读/无写B.无读/写C.读/写 D.无读/无写 11.只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内 A.全部改变B.全部为0C.不可预料D.保持不变 12.随机存取存储器RAM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中 的内容 A.全部改变B.全部为 C.不确定 D.保持不变 13.一个容量为512×1的静态RAM具有 A.地址线9根,数据线1根 B.地址线1根,数据线9根 C.地址线512根,数据线9根 D.地址线9根,数据线512 根 14.用若干RAM实现位扩展时,其方法是将 相应地并联在 起 A.地址线 B.数据线 C.片选信号线D.读/写线 15.PROM的与陈列(地址译码器)是 A.全译码可编程阵列 B.全译码不可编程阵列 C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列
第九章 可编程逻辑器件 180 A . 8×3 B . 8 K×8 C . 256×8 D . 256×256 6 .采用对称双地址结构寻址的 1024×1 的存储矩阵有 。 A . 1 0 行 1 0 列 B . 5 行 5 列 C . 3 2 行 3 2 列 D . 1024 行 1024 列 7．随机存取存储器具有 功能。 A .读 /写 B .无 读 /写 C .只 读 D .只 写 8．欲将容量为 128×1 的 RAM 扩展为 1024×8，则需要控制各片选端 的辅助译码器的输出端数为 。 A . 1 B . 2 C . 3 D . 8 9．欲将容量为 256×1 的 RAM 扩展为 1024×8，则需要控制各片选端 的辅助译码器的输入端数为 。 A . 4 B . 2 C . 3 D . 8 1 0．只读存储器 ROM 在运行时具有 功能。 A .读 /无 写 B .无 读 /写 C .读 /写 D .无 读 /无 写 1 1．只 读 存 储 器 ROM 中 的 内 容 ，当 电 源 断 掉 后 又 接 通 ，存 储 器 中 的 内 容 。 A .全部改变 B .全部为 0 C .不可预料 D .保持不变 1 2．随 机 存 取 存 储 器 RAM 中 的 内 容 ，当 电 源 断 掉 后 又 接 通 ，存 储 器 中 的内容 。 A .全部改变 B .全部为 1 C .不确定 D .保持不变 1 3．一个容量为 512×1 的静态 RAM 具有 。 A .地址线 9 根，数据线 1 根 B .地址线 1 根，数据线 9 根 C .地址线 512 根，数据线 9 根 D .地址线 9 根，数据线 512 根 1 4． 用 若 干 RAM 实现位扩展 时 ， 其 方 法 是 将 相应地并联在一 起 。 A .地址线 B .数据线 C .片选信号线 D .读 /写 线 1 5． PROM 的与陈列（地址译码器）是 。 A .全译码可编程阵列 B . 全译码不可编程阵列 C .非全译码可编程阵列 D .非全译码不可编程阵列
