本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

6.1 利用 555 定时器芯片构成一个鉴幅电路，实现图题 中, UR1=3.2V, UR2=1.6 V。要求画出电路图，并标明电路中相关的参数值

单片机本身资源不足以满足应用需求的情况下, 必须借助外部器件对系统进行扩展 主要介绍:并口、RAM、ROM、键盘、LED DAC、ADC等接口的扩展与应用 其中涉及到6264、2764、74LS373 74LS244、74LS245、8255、8155 DAC0832、ADC0809等芯片

7.1存储器的扩展 7.2输入/输出及其控制方式 7.3并行接口的扩展 7.48279接口芯片 7.5显示器及键盘接口

GW48EDA系统结构图信号名与芯片引脚对照表

1问答题 1.18051单片机芯片内部包含哪些主要功能器件? 1.28051存储器可分为哪几部分地址空间各部分作用是什么? 1.3简述8051片内RAM的空间分配?其功能如何?

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本章详细介绍了TMS320C54x中主机接口HPI、定 时器、串行接口和中断系统。 主机接口HPI是TMS320C54x系列定点芯片内部具 有的一种接口部件,主要用于DSP与其他总线或CPU进 行通信