4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

特里根(Tellegen&Waller,1987)用另外一种选词 方法得到了七个因素,构成了七因素模型 (sevenfactormodel). 七个因素为: 正情绪性、负效价、正效价、负情绪性、可靠性、 宜人性、因袭性。相对于五因素模型,多了正效价和负 效价

第一节 负债的性质和分类 第二节 流动负债 第三节 长期负债

第一节 负债的定义及其分类 第二节 流动负债 第三节 长期负债 第四节 借款费用 第五节 债券重组

12.2.1 反馈的基本概念 12.2.2 负反馈的基本类型 12.2.3 反馈类型的判别 12.2.4 负反馈对放大器性能的影响

理解财务杠杆（即资本结构）对公司盈利的影响 理解什么是自制杠杆（homemade leverage） 理解无税和有税环境下的资本结构理论 能计算有负债的价值 理解强调公司负债水平的理论 权衡理论/信号理论/代理成本理论/优序融资理论 知道真实世界里哪些因素会影响公司的负债权益之比 理解清算与重组之间的差别 理解Z-Score在预测公司破产方面的应用

6.4深度负反馈放大电路放大倍数的分析 重点讨论反馈系数和深度负反馈电路放大倍数的估算 6.4.1深度负反馈的实质

本章教学基本要求 1.了解变压器的主要结构、基本工作原理及主要额定值的意义; 2通过变压器的负载运行分析,深入理解负载运行时变压器各物理量之间的关系,绕组折算的物理意义及其计算方法,掌握负载运行时的等值电路、相量图、参数测定及求解电压变化率和效率,学会分析变压器的运行性能; 3.熟悉三相变压器的联接组别,并能根据绕组接线图判别其联接组别或按照已知的联接组别画出绕组的接线图

为了获得大反应电流,全钒氧化还原液流电池使用聚丙烯腈基碳毡为电极活性材料.在空气中热处理碳毡可以增加其表面含氧官能团浓度,改善碳毡的亲水性,降低反应过电位.实验表明:电池的过电位主要由正极反应造成;热处理正极碳毡可以大大降低电池极化内阻,负极碳毡热处理后降低了析氢过电位,从而降低了电池的电流效率;正极使用热处理后的碳毡,负极使用未经处理的原毡,可以获得更好的电池能量效率

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的