信息论是在长期通信工程的实践中,由通信技术与概率论 随机过程和数理统计相结合而逐步发展起来的一门科学 奈魁斯特:他在1924年研究影响电报传递速度的因素时,就 察觉到信息传输速度和频带宽度有关系;

1、现代通信网的基本概念及构成，主要包括：通信网的基本模型，通信网的定义和构成，通信网的类型，通信网的物理拓扑结构，通信网的业务，通信系统与通信网。 2、通信网的交换技术，包括：电路交换、分组交换、帧中继。 3、ATM通信网的体系结构，主要包括：OSI参考模型，TCP/IP协议体系结构。 4、通信网的发展史。 5、主要网络简介，包括：电话网，数据网，接入网，综合业务数字网（ISDN）

差动变压器是把被测的非电量变化转换成线圈互感量的变化。这种传感器是根据变压器的基本原理制成的，并且次级绕组用差动的形式连接，故称之为差动变压器式传感器

3.1.1 工作原理 3.1.2 变气隙式自感传感器 3.1.3 变面积式自感传感器 3.1.4 螺线管式自感传感器 3.1.5 自感式传感器测量电路 3.1.6 自感式传感器应用举例

2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿

3.1三相电源的连接方式 3.2三相负载的连接方式 3.3三相电路的功率

4.1.1日历电子钟控制 4.1.2 皮带传输线控制 4.1.3 洗衣机控制 4.1.3.1 洗涤控制 4.1.3.2 带有洗涤方式选择、水位选择的洗涤控制 4.1.3.3 带有洗涤方式选择、水位选择的全自动洗衣控制程序设计（一洗二漂） 4.1.4单时段十字路口交通信号灯控制系统设计与调试 4.1.4多时段十字路口交通信号灯控制系统设计与调试

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

《模拟电子技术》课程教学资源（电子讲义）03 多级放大电路