本文运用定向凝固方法,在不同冷却条件下对不同成分灰铸铁的凝固过程运用微分仪进行热分析.结果表明:在碳当量相同的条件下,随着Si/C比的提高,Fe-C-Si合金的最小共晶凝固温度升高.并进一步分析了Si使高Si/C比灰铸铁奥氏体枝晶数量增加的原因,提出了Si促使灰铸铁共晶共生区向右偏移的一论断,并利用出现奥氏体枝晶的临界冷却速度,半定量地描绘出了硅使得共晶共生区向右偏移的曲线

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管

1 共轭效应：单双键交替出现的体系称为共轭体系。在共轭体系中，由于原子间的相互 影响而使体系内的π电子（或 P 电子）分布发生变化的一种电子效应称为共轭效应。凡共 轭体系上的取代基能降低体系的π电子密度，则这些基团有吸电子的共轭效应，用－C 表示。 凡共轭体系上的取代基能增高共轭体系的π电子云密度，则这些基团有给电子的共轭效应， 用+C 表示

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