4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

一、零点漂移现象及其产生的原因 二、长尾式差分放大电路的组成 三、长尾式差分放大电路的分析 四、差分放大电路的四种接法 五、具有恒流源的差分放大电路 六、差分放大电路的改进

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

§.1 周期电压和电流 §.2 正弦电压和电流 §.3 正弦RC电路的分析 §.4 相量 §8-1有效值、有效值相量 §8-2 基尔霍夫定律的相量形式 §8-3 基本元件的v-i相量形式 §8-4 阻抗和导纳 相量模型 §8-5 相量模型的网孔分析法和节点分折法

 本课程的位置及作用  本课程的特点  本课程的发展概况 本章介绍电路的基本概念和基本变量，阐述集中参数电路的基本定律----基尔霍夫定律。 定义三种常用的电路元件：电阻、独立电压源和独立电流源。 最后讨论集中参数电路中，电压和电流必须满足的两类约束。这些内容是全书的基础。 §1－1 电路和电路模型 §1－2 电路的基本物理量 §1－3 基尔霍夫定律 §1－4 电阻元件 §1－5 独立电压源和独立电流源 §1－6 两类约束和电路方程 §1－7 支路电流法和支路电压法 §1－8 分压电路和分流电路

8.1 换路定律 8.2 一阶电路的暂态分析 8.3 一阶电路的阶跃响应 8.4 二阶电路的零输入响应

5.1 概述 5.1.1 功率放大器的主要指标 5.1.2 功率放大器的分类 5.2 互补推挽功率放大器 5.2.1 乙类推挽功率放大器的工作原理 5.2.2 乙类推挽功率放大器的分析计算 5.2.3 乙类推挽功率放大器的非线性失真 5.3 其它形式的功放电路 5.3.1 单电源供电的互补推挽电路 5.3.2 准互补推挽功率放大器 5.4 功率器件、散热及保护电路

9.1 滤波电路的基本概念与分类 9.2 一阶有源滤波电路 9.3 高阶有源滤波电路 9.4 开关电容滤波器 9.5 正弦波振荡电路的振荡条件 9.6 RC正弦波振荡电路 9.7 LC正弦波振荡电路 9.8 非正弦信号产生电路

实验一、电子技术实验基础知 一、课程概述(内容要求) 二、基础知识(电子元器件) 三、直流仪器(数字万用表) 四、电阻、电容等元器件测量

医学电子仪器的特点 医学电子仪器的分类 半导体器件的基础知识 生物医学放大电路 电子振荡电路 直流稳压电路 数字逻辑电路