1、掌握金属布氏、洛氏、维氏硬度的试验原理和测定方法。 2、了解各种硬度试验方法的特点、应用范围及选用原则。 3、学会正确使用各种硬度计

1、了解布氏、洛氏硬度测定的基本原理。 2、了解金属冲击吸收能量的测定方法。 3、初步掌握洛氏硬度测定的操作方法

1、了解布氏、洛氏硬度测定的基本原理。 2、了解金属冲击吸收能量的测定方法。 3、初步掌握洛氏硬度测定的操作方法

(1)了解原电池的组成、半反应式以及电极电势的概念。能用能斯特方程计算电极电势和原电池电动势。 (2) 熟悉浓度对电极电势的影响以及电极电势的应用：能比较氧化剂还原剂的相对强弱，判断氧化还原反应进行的方向和程度。 (3)了解电解池中电解产物一般规律，明确电化学腐蚀及其防止的原理。 4.1 原电池 4.2 电极电势 4.3 电极电势在化学上的应用 4.4 化学电源 4.5 电解 4.6 金属的腐蚀与防止

9.1 配合物的组成和命名 9.2 配合物的价键理论 9.3 配位平衡 9.4 EDTA及其金属离子的配合物 9.5 副反应系数和条件稳定常数 9.6 配位滴定的基本原理 9.7 金属指示剂 9.8 提高配位滴定选择性的方法 9.9 配位滴定方式及应用 9.10 配位化合物的应用

第一节 概述 第二节 配合物的稳定常数 第三节 副反应系数和条件稳定常数 一、副反应及副反应系数 二、条件稳定常数 （一）配位剂Y的副反应和副反应系数 （二）金属离子M的副反应和副反应系数 （三）配合物MY的副反应系数 第四节 金属离子指示剂 一、金属离子指示剂及特点 二、指示剂配位原理 三、指示剂应具备的条件 四、指示剂的封闭、僵化现象及消除方法 五、常用金属离子指示剂 第五节 配位滴定的基本原理 一、配位滴定曲线 二、化学计量点时金属离子浓度的计算 三、配位滴定曲线与酸碱滴定曲线比较 四、影响配位滴定突跃大小的两个因素 五、指示剂变色点金属离子浓度的计算 六、滴定终点误差计算（林邦误差公式） 第六节 滴定条件的选择 一、单一离子测定的滴定条件 1. 准确滴定的判定式 2. 滴定的适宜酸度范围 3. 滴定的最佳酸度 4. 缓冲溶液的作用 二、提高混合离子配位滴定的选择性 1. 控制酸度分步滴定 2. 使用掩蔽剂选择性滴定 第七节 标准溶液及配位滴定的主要方式 一、标准溶液的配制和标定 二、配位滴定的主要方式

第一节 概述 第二节 配合物的稳定常数 第三节 副反应系数和条件稳定常数 一、副反应及副反应系数 二、条件稳定常数 （一）配位剂Y的副反应和副反应系数 （二）金属离子M的副反应和副反应系数 （三）配合物MY的副反应系数 第四节 金属离子指示剂 一、金属离子指示剂及特点 二、指示剂配位原理 三、指示剂应具备的条件 四、指示剂的封闭、僵化现象及消除方法 五、常用金属离子指示剂 第五节 配位滴定的基本原理 一、配位滴定曲线 二、化学计量点时金属离子浓度的计算 三、配位滴定曲线与酸碱滴定曲线比较 四、影响配位滴定突跃大小的两个因素 五、指示剂变色点金属离子浓度的计算 六、滴定终点误差计算（林邦误差公式） 第六节 滴定条件的选择 一、单一离子测定的滴定条件 1. 准确滴定的判定式 2. 滴定的适宜酸度范围 3. 滴定的最佳酸度 4. 缓冲溶液的作用 二、提高混合离子配位滴定的选择性 1. 控制酸度分步滴定 2. 使用掩蔽剂选择性滴定 第七节 标准溶液及配位滴定的主要方式 一、标准溶液的配制和标定 二、配位滴定的主要方式

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

1 焊接化学冶金过程特点 2 焊接区内的气体与熔渣 3 气体对金属的作用 4 焊缝中硫和磷 5 焊缝金属的合金化