一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻性 能好,应选用 组态

一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

一、填空(本题25分) 1.互导互导增益互阻AR=o 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.GB≥50MHz 4.提高降低加宽增大减小

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极

1绪论 1.1.1仿照图 1.1.2①石英预制棒加热炉温度控制系统方框图,画出图1.1.1中光纤拉丝 盘转速控制的电子系统方框图,并加以说明。 X、Y、Z位移装置 距地基平面14m 预制棒空间位置 控制系统

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

◼ 频率特性的基本概念 ◼ 非周期函数的频谱分析 ◼ 频率特性的表示方法 ◼ 典型环节的频率特性 ◼ 系统开环频率特性的绘制 ◼ 用频率法分析控制系统的稳定性 ◼ 系统暂态特性和开环频率特性的关系 ◼ 闭环系统频率特性 ◼ 系统暂态特性和闭环频率特性的关系

6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知。 解(1)T1、T2和R组成镜像电流源电路,在电路中作 为T3的恒流源负载,可提高放大电路的电压增益