1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

电介质:在电场作用下,能建立极化的一切物质。通常 是指电阻率大于100g2cm的一类在电场中以感应而并非 传导的方式呈现其电学性能的物质。 陶瓷电介质的主要应用:电子电路中的电容元件、电绝 缘体、谐振器。某些具有特殊性能的材料,如:具有压 电效应、铁电效应、热释电效应等特殊功能的电介质材 料在电声、电光等技术领域有着广泛的应用前景。 电介质的主要性能:介电常数、介电损耗因子、介电强 度 目前的发展方向:新型器件的研制、提高使用频率范围 扩大环境条件范围,特别是温度范围

当波源与观察者相对静止时观察者接受波的频率和波源发射的频率相等。 多普勒效应(Doppler Effect):当或接收器(观察者)R,或S、R都相对媒质运动 时,接收器所测得的频率不等于波源振动频率的现象(对机械波) 多普勒效应

场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件

采用开尔文探针技术(SKP)测量AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样在盐雾加速实验中的电偶腐蚀规律.研究表明:AZ91D镁合金的电偶腐蚀效应受到阳极与阴极的电位差的影响,AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样之间的伏打电位差约为-1.22V,AZ91D镁合金存在显著的电偶腐蚀效应.由于存在较大的伏打电位差,在盐雾实验初始阶段,电偶腐蚀主要发生在偶接界面AZ91D镁合金一侧附近区域,而H62黄铜没有发生明显腐蚀.由于AZ91D镁合金在盐雾中生成的腐蚀产物对基体具有一定的保护作用,AZ91D镁合金表面腐蚀产物与基体间存在显著的伏打电位差,导致AZ91D镁合金基体形成新的腐蚀产物.因此,随着盐雾实验时间延长,AZ91D镁合金电偶腐蚀效应降低,H62铜合金腐蚀加快

一、什么是多径效应? 移动通信电波传播最具特色的现象是多径 衰落,或称多径效应。无线电波在传输过程中会 受到地形、地物的影响而产生反射、绕射、散射 等,从而使电波沿着各种不同的路径传播,这称 为多径传播。由于多径传播使得部分电波不能到 达接收端,而接收端接收到的信号也是在幅度、 相位、频率和到达时间上都不尽相同的多条路径 上信号的合成信号,因而会产生信号的频率选择 性衰落和时延扩展等现象,这些被称为多径衰落 或多径效应

愿意、光电效应实验的规律 (1)实验装置 光照射至金属表面,电子从金 属表面逸出,称其为光电子 (2)实验规律 截止频率(红限) 0 仅当>V才发生光电效应, 截止频率与材料有关与光强无关

溶剂效应对亲核取代反应所起的作用,不仅是重要 的,而且是复杂的,主要是通过影响过渡态的稳定性从 而影响反应活化能,以达到影响反应速率。 绝大部分S1反应是由中性分子离解成带电荷的离子 ,过渡态的电荷比反应物有所增加。溶剂极性增加,使过渡态的能量降低,从而降低反应的活化能,使反应加 速

对效应函数和冷轧板形调节性能进行界定.在此基础上提出了基于效应函数的板形闭环控制策略,揭示了该控制策略内含的数学模型,并对其控制效果进行了分析和评价

采用Maker条纹测试方法,首次在电场-温度场极化GeS2-Ga2S3-PbI2准三元体系硫卤玻璃中观察到了明显的二次谐波发生(SHG).对于70GeS2·15Ga2S3·15PbI2组分玻璃,详细研究不同极化电压、极化温度和极化时间对二次谐波(SH)强度的影响,发现当极化温度高于190℃,电压高于4.0kV时,可以观察到SHG并且SH强度随极化电压与时间的升高而增大直至饱和.在6kV极化40min的条件下,SH强度随极化温度的升高先增大后减小.在6kV、250℃、40min的最佳极化条件下,70GeS2·15Ga2S3·15PbI2玻璃的二阶非线性极化率χ(2)达到最大值4pm·V-1.根据偶极子取向模型,讨论了二次谐波效应的机理是该硫卤玻璃中偶极子在高温条件下摆脱网络束缚沿外加电场方向取向调整,从而破坏了玻璃的宏观各向同性所致,并定性解释了极化条件对玻璃二阶光学非线性效应的影响