5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

§7-1 概述 §7-2 只读存储器ROM §7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数

一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.GAL不需要编程器就可写入 JEDEL文件。 ()2.具有N个独立的状态,计满N个计数脉冲后,状态能进入循环的时序电路,称之模N计数器

一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 ()2.多位数加法器可利用半加器通过位数扩展得到。 ()3.下图电路中,图(a)和图(b)的逻辑功能相同

2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

一、学时:2学时 二、目的和要求: 1.掌握电路的基本概念与基本定律; 2.理解电压、电流参考方向的意义; 3.了解电路的有载工作、开路与短路状态并能理解电功率和额定值的意义

第2章正弦交流电路 2.1单相交流电路的基本概念 2.2正弦交流电的相量表示法 2.3单参数的正弦交流电路 2.4多参数组合的正弦交流电路

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散