第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

3.1 LTI离散系统的响应 一、差分与差分方程 二、差分方程的经典解 三、零输入响应和零状态响应 3.2 单位序列响应和阶跃响应 一、单位序列响应 二、阶跃响应 3.3 卷积和 一、序列分解与卷积和 二、卷积的图解 三、不进位乘法 四、卷积和的性质

一、模拟视频 二、真空管摄像机（电子束进行扫描） 三、CCD摄像机（单传感器，三传感器） 四、光盘，磁带 五、数字视频 六、分量数字化和复合信号数字化 七、数字视频有利于进行视频处理

第1章 C++简单程序设计 第2章 函数 第3章 数组 第4章 类和对象 第5章 程序结构 第6章 指针与字符串

重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

8.1电荷库仑定律 一、电荷的基本性质 1、电荷的种类:正电荷和负电荷;同性斥、异性吸; 电量q:电荷的多少; 单位:C(库仑) 2、电荷的量子化:任何带电体所带的电量总是电子电量的正负整数倍

2.1 LTI连续系统的响应 一、微分方程的经典解 二、关于0-和0+初始值 三、零输入响应和零状态响应 2.2 冲激响应和阶跃响应 一、冲激响应 二、阶跃响应 2.3 卷积积分 一、信号时域分解与卷积 二、卷积的图解 2.4 卷积积分的性质 一、卷积代数 二、奇异函数的卷积特性 三、卷积的微积分性质 四、卷积的时移特性

6.1 概述 6.2 直流信号的放大 6.3 差分放大器 6.4 集成运算放大器典型电路介绍 6.5 集成运算放大器的性能参数和模型 6.7 集成运算放大器的应用 6.8 实际集成运放电路的误差分析 6.6 理想运放及其基本组态 6.9 在系统可编程模拟器件ispPAC 6.10 单电源供电运放电路 6.11 电流模式运算放大器 6.12 集成跨导放大器 6.13 模拟乘法器

3.1 信号的正交分解 3.2 周期信号的傅里叶级数 3.3 周期信号的频谱 3.4 非周期信号的频谱——傅里叶变换 3.5 傅里叶变换的性质 3.6 周期信号的傅里叶变换 3.7 LTI系统的频域分析 3.8 取样定理