点击切换搜索课件文库搜索结果(262)
文档格式:PDF 文档大小:1.37MB 文档页数:7
对难变形镍基高温合金GH720Li进行了亚固溶处理、亚固溶+单时效(650℃,24 h→空冷)或双时效处理(650℃,24 h→空冷+760℃,16 h→空冷)以及870℃时效3000 h条件下γ′相演变规律的研究.发现一次γ′相受亚固溶处理影响较大,发生部分回溶的程度随固溶温度升高而增大,时效处理使一次γ′相向球形或近球形转变;二次和三次γ′相在亚固溶保温过程中完全回溶,在时效处理时补充析出明显且析出数量和区域随固溶温度升高而增大;870℃长期时效时,合金组织逐渐均匀,二次和三次γ′相完全回溶,晶界一次γ′相时效500 h后有所粗化,合金硬度先降低而后保持不变
文档格式:PDF 文档大小:823.45KB 文档页数:5
研究不同Al和W含量对四种Co-Al-W三元合金的初熔温度、热处理组织和硬度的影响.结果表明:四种Co-Al-W三元合金的固、液相点温度均超过镍基单晶高温合金液相点温度;在1300℃/8h固溶处理后,三种合金均仅得到γ(fcc)单相组织,而高W合金在晶界和晶内均有μ相Co7W6析出;在800℃/100h和900℃/50h时效处理后,四种合金在基体γ相中均析出Ll2型γ'相Co3(Al,W),其γ+γ'两相组织形貌与镍基高温合金相似;高W(12%)和高Al(12%)合金分别促进了μ相Co7W6和富Al相析出.综合以上结果并结合时效合金的硬度结果,初步确定了含γ+γ'两相组织的合金成分范围
文档格式:PDF 文档大小:2.08MB 文档页数:9
本文研究了热处理因素对W+Mo含量达12%的10Cr-15Co-Ni基高温合金弯曲晶界形成的影响。指出在固溶处理后以1-10℃/分冷却和固溶处理后空冷至1020-1130℃并在这一温度范围保温一定时间均可获得弯曲晶界。在弯曲晶界上同时并存有参与热处理过程的两种性质不同的r'和MbC型碳化物相,MbC型碳化物的生核并迅速长大是该类型合金引起晶界弯曲的主导因素,这一观点与传统的看法即在高合金化Ni基合金中r'相的不连续沉淀引起晶界弯曲是截然不同的。同时提出了在该类型合金中弯曲晶界形成的模型以及讨论了弯曲晶界形成的机理
文档格式:PDF 文档大小:353.23KB 文档页数:4
在热处理时加一定的静电场,研究了电场处理对CuZnAl合金记忆效应及相变的影响。实验结果表明,正电场处理使相变温度略为下降;而对马氏体相变量及单向恢复率均有提高
文档格式:PDF 文档大小:3.33MB 文档页数:513
第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺
文档格式:PPT 文档大小:16.23MB 文档页数:513
第一章绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺
文档格式:PPT 文档大小:16.22MB 文档页数:513
第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺
文档格式:PPT 文档大小:2.27MB 文档页数:513
第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺
文档格式:PDF 文档大小:1.44MB 文档页数:5
研究了喷射成形Al-Zn-Mg-Cu系超高强度铝合金的沉积态和挤压态的组织,对挤压态合金进行了固溶处理和时效处理,得到了时效硬度曲线,并进行了力学性能测试.结果显示:沉积态合金孔隙较多;挤压态合金内存在大量的颗粒,经能谱分析为富铜相;固溶温度达到490℃时,晶界出现熔化现象.时效硬度曲线表明:采用120℃时效,在15~25h之间达到硬度峰值;采用135℃时效,达到硬度峰值的时间与合金的成分有关,随着Zn含量的增加,达到硬度峰值的时间变短,而抗拉强度基本稳定在700MPa左右
文档格式:PDF 文档大小:2.27MB 文档页数:513
第一章绪论 第二章食品的热处理与杀菌 第三章食品的低温处理与保藏 第四章食品的脱水加工 第五章食品辐射保藏 第六章食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章食品的化学保藏 第八章典型食品的加工工艺
首页上页1617181920212223下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 262 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有