本文研究了热处理因素对W+Mo含量达12%的10Cr-15Co-Ni基高温合金弯曲晶界形成的影响。指出在固溶处理后以1-10℃/分冷却和固溶处理后空冷至1020-1130℃并在这一温度范围保温一定时间均可获得弯曲晶界。在弯曲晶界上同时并存有参与热处理过程的两种性质不同的r'和MbC型碳化物相,MbC型碳化物的生核并迅速长大是该类型合金引起晶界弯曲的主导因素,这一观点与传统的看法即在高合金化Ni基合金中r'相的不连续沉淀引起晶界弯曲是截然不同的。同时提出了在该类型合金中弯曲晶界形成的模型以及讨论了弯曲晶界形成的机理

在热处理时加一定的静电场,研究了电场处理对CuZnAl合金记忆效应及相变的影响。实验结果表明,正电场处理使相变温度略为下降;而对马氏体相变量及单向恢复率均有提高

第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺

第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺

第一章 绪论 第二章 食品的热处理与杀菌 第三章 食品的低温处理与保藏 第四章 食品的脱水加工 第五章 食品辐射保藏 第六章 食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章 食品的化学保藏 第八章 典型食品的加工工艺

研究了喷射成形Al-Zn-Mg-Cu系超高强度铝合金的沉积态和挤压态的组织,对挤压态合金进行了固溶处理和时效处理,得到了时效硬度曲线,并进行了力学性能测试.结果显示:沉积态合金孔隙较多;挤压态合金内存在大量的颗粒,经能谱分析为富铜相;固溶温度达到490℃时,晶界出现熔化现象.时效硬度曲线表明:采用120℃时效,在15~25h之间达到硬度峰值;采用135℃时效,达到硬度峰值的时间与合金的成分有关,随着Zn含量的增加,达到硬度峰值的时间变短,而抗拉强度基本稳定在700MPa左右

第一章绪论 第二章食品的热处理与杀菌 第三章食品的低温处理与保藏 第四章食品的脱水加工 第五章食品辐射保藏 第六章食品的腌渍烟熏和发酵处理 第七章食品的化学保藏 第八章典型食品的加工工艺

采用Cu-CuSO4-16%H2SO4浸泡实验、双环电化学动电位再活化(DL-EPR)法和动电位交流阻抗(DEIS)研究了不同热处理状态00Cr12Ti在0.1 mol·L-1 H2SO4+0.0001 mol·L-1 KSCN溶液中的电化学行为.结果表明:1000℃保温2 h的试样发生敏化,650℃保温2 h的试样不发生敏化.不同热处理状态主要影响合金的再活化过程,对合金的活化过程影响很小.在再活化过程中,对于1000℃保温2h试样,容抗弧显著减小而后逐渐增大,且低频区出现负阻抗,发生钝化膜的破裂和修复;而650℃保温2 h试样钝化膜相对稳定,没有发生钝化膜破裂和修复.发生晶间腐蚀后,1000℃保温2 h试样电荷转移电阻(Rct)明显小于650℃保温2 h试样的钝化膜电阻(Rp),这是由敏化试样发生局部腐蚀造成的

在700℃炉冷、870℃空冷和炉冷三种热处理条件下,制备了氧化铱pH微电极,并对比了微电极的线性范围及响应时间.结果表明:热处理条件对Ir氧化物膜的均匀性有很大影响,进而影响其开路电位的稳定性及响应速度.700℃炉冷和870℃空冷制得的电极氧化膜表面粗糙,孔隙率不均匀并伴随有裂纹;而870℃炉冷条件下制得的电极具有表面氧化膜均匀、响应时间短以及线性好等优点.铱氧化物的形成机理是Ir丝被空气中的O2氧化,而高温Li2CO3起到一种溶剂的作用.铱氧化物电极的H+响应是由于电极表面水合氧化铱与溶液中H+发生化学反应,反应为Ir4+与Ir3+之间的转变

在Bi2223/Ag超导多芯带材的制备过程中，采用了热处理—冷压—热处理的工艺，取压力、压下速率、摩擦系数和来料作为待研究的冷压工艺参数，以带材的临界电流Ic值为评价指标，用正交法设计实验方案，结果表明：摩擦系数对带材临界电流Ic值的影响高度显著，压力和来料对带材Ic值的影响显著，压下速率对带材Ic值的影响程度量小．